[發明專利]DC-DC 變換器有效
| 申請號: | 201110252388.0 | 申請日: | 2011-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN102403898A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 后藤祐一 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H02M3/157 | 分類號: | H02M3/157 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 龐乃媛;黃劍鋒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | dc 變換器 | ||
本申請基于2010年9月13日提出的日本專利申請第2010-204295號并主張其優先權,這里引用其全部內容。
技術領域
本發明涉及DC-DC變換器。
背景技術
在降壓型DC-DC變換器中,使用將高端開關及低端開關交替地開啟、關閉而驅動電感器的同步整流方式、和僅將高端開關開啟、關閉的斬波器(chopper)方式。
斬波器方式雖然小電流時的開關損失較少,但由于將低端元件用二極管構成,所以二極管帶來的電壓下降較大,大電流時的效率較差。另一方面,同步整流方式由于低端也進行開關,所以大電流時的效率較好,但在小電流時開關損失較大,效率惡化。此外,在小電流時有電感器的電流反向流過低端開關、效率惡化的情況。
發明內容
本發明的實施方式提供一種在較寬的電流域中功率利用系數較好的DC-DC變換器。
根據技術方案,提供一種DC-DC變換器,具備:高端開關;低端開關,與上述高端開關串聯連接;二極管,與上述低端開關并聯連接;高端控制電路;以及低端控制電路。高端控制電路,具有檢測上述高端開關的電流的檢測電路,根據上述檢測電路的輸出將上述高端開關控制為開啟或關閉。低端控制電路,當上述高端開關開啟時,將上述低端開關控制為關閉;當上述高端開關關閉時,根據上述檢測電路的輸出的峰值將上述低端開關控制為開啟或關閉。
根據本發明的技術方案,能夠提供一種在較寬的電流域中功率利用系數良好的DC-DC變換器。
附圖說明
圖1是例示有關第1實施方式的DC-DC變換器的結構的電路圖。
圖2是表示電感器的電流的峰值的輸出電壓依存性的特性圖。
圖3是DC-DC變換器的主要的信號的時序圖,圖3A表示時鐘信號CLK,圖3B表示高端開關的電流IQ1,圖3C表示第2比較電路的輸出信號PWM,圖3D表示高端控制信號VH,圖3E表示低端控制信號VL,圖3F表示選擇信號SEL,圖3G表示基準電壓VT。
具體實施方式
以下,參照附圖詳細地說明實施方式。另外,在本說明書和各圖中,關于已有的圖,對于與前述同樣的要素賦予相同的標號而適當省略詳細的說明。
(第1實施方式)
圖1是例示有關第1實施方式的DC-DC變換器的結構的電路圖。
DC-DC變換器1具備高端開關Q1、與高端開關Q1串聯連接的低端開關Q2、控制高端開關Q1的高端控制電路6、和控制低端開關Q2的低端控制電路7等。DC-DC變換器1輸出將電源電壓VIN降壓后的輸出電壓VOUT。
在電源線2與驅動線3之間連接著高端開關Q1。在驅動線3與接地線4之間連接著低端開關Q2。低端開關Q2與高端開關Q1串聯連接。
另外,在圖1中,高端開關Q1由P溝道型MOSFET(以下稱作PMOS)構成。此外,低端開關Q2由N溝道型MOSFET(以下稱作NMOS)構成。但是,高端開關Q1也可以由NMOS構成。
電感器L1的一端經由驅動線3連接在高端開關Q1及低端開關Q2上。電感器L1的另一端連接在輸出線5上。在輸出線5與接地線4之間,分別連接著反饋電阻R1、R2、平滑電容器C1。
電感器L1經由驅動線3受高端開關Q1驅動,向輸出線5生成輸出電壓VOUT。輸出電壓VOUT被平滑電容器C1平滑化。此外,通過反饋電阻R1、R2從輸出電壓VOUT生成電壓VFB。電壓VFB被反饋給高端控制電路6。
另外,在圖1中,向高端控制電路6反饋將輸出電壓VOUT用反饋電阻R1、R2分壓后的電壓VFB。但是,也可以將輸出電壓VOUT作為電壓VFB反饋給高端控制電路6。
高端開關Q1被從高端控制電路6輸出的高端控制信號VH控制為開啟或關閉。由于高端開關Q1由PMOS構成,所以高端控制信號VH的邏輯是負邏輯。當高端控制信號VH是低電平時,高端開關Q1開啟,當是高電平時,高端開關Q1關閉。
低端開關Q2被從低端控制電路7輸出的低端控制信號VL控制為開啟或關閉。低端開關Q2由NMOS構成,所以低端控制信號VL的邏輯是正邏輯。當低端控制信號VL是低電平時,低端開關Q2關閉,在高電平時,低端開關Q2開啟。
在低端開關Q2的兩端上連接著二極管D1。二極管D1與低端開關Q2并聯連接在高端開關Q1與接地線4之間。在二極管D1中,當低端開關Q2關閉時,電感器L1的再生電流從接地線4朝向電感器L1流動。另外,二極管D1也可以是包含在低端開關Q2中的寄生二極管。
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