[發明專利]一種太陽能硅片快速燒結的方法無效
| 申請號: | 201110251901.4 | 申請日: | 2011-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN102332491A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發明(設計)人: | 劉亮;陳磊;徐永洋 | 申請(專利權)人: | 綠華能源科技(杭州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人: | 俞潤體 |
| 地址: | 311201 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 硅片 快速 燒結 方法 | ||
1.一種太陽能硅片快速燒結的方法,其特征在于按以下步驟進行:
(1)、傳送:
??????將已經印刷好的上、下電極和背場的硅片經過絲網印刷機的傳送帶運送到燒結爐的網帶上,電池片傳送到燒結爐中;
(2)、進行烘干排焦:
??步驟(1)后,經過三個烘干區和三個過渡區,總長4880mm,速率70-80mm/s,烘干漿料,排出漿料中的有機物;第一烘干區溫度為150~180℃,長度1200mm;第二烘干區溫度為180~220℃,長度為1200mm;第三烘干區溫度為170~200℃,長度為1200mm;第一過渡區的溫度為350~450℃,長度300mm;第二過渡區的溫度為450~500℃,長度350mm;第三過渡區的溫度為500~550℃,長度610mm;所述的三個烘干區和三個過渡區依次連接;
(3)、快速加熱燒結:
??步驟(2)后,以150-160mm/s速率進入總長為930mm的燒結區,燒結區前面500mm溫區的溫度為600~700℃,通過的時間為3.1~3.3S;之后430mm溫區的溫度為700~760℃,通過時間為2.78~3.0s,以達到快速燒結的目的;
?????(4)、高溫燒結冷卻:
???步驟(3)后,以70-80mm/s速率進入總長為3860mm進行冷卻,通過冷卻水和風扇進行冷卻,冷卻水的進水溫度為20~22℃,出水溫度為28~30℃,風扇安裝在傳送帶的上下面,各自對齊,對著網帶,避免吹翻電池片。
2.根據權利要求1所述的一種太陽能硅片快速燒結的方法,其特征在于按以下步驟進行:
??(1)、傳送:
??????將已經印刷好的上、下電極和背場的硅片經過絲網印刷機的傳送帶運送到燒結爐的網帶上,電池片傳送到燒結爐中;
(2)、進行烘干排焦:
??步驟(1)后,經過三個烘干區和三個過渡區,總長4880mm,速率70-80mm/s,烘干漿料,排出漿料中的有機物;第一烘干區溫度為160~170℃,長度1200mm;第二烘干區溫度為190~220℃,長度為1200mm;第三烘干區溫度為180~200℃,長度為1200mm;第一過渡區的溫度為360~450℃,長度300mm;第二過渡區的溫度為470~500℃,長度350mm;第三過渡區的溫度為510~550℃,長度610mm;所述的三個烘干區和三個過渡區依次連接;
??(3)、快速加熱燒結:
??步驟(2)后,以150-160mm/s速率進入總長為930mm的燒結區,燒結區前面500mm溫區的溫度為610~690℃,通過的時間為3.1~3.3S;之后430mm溫區的溫度為700~760℃,通過時間為2.78~3.0s,以達到快速燒結的目的;
?????(4)、高溫燒結冷卻:
???步驟(3)后,以70-80mm/s速率進入總長為3860mm進行冷卻,通過冷卻水和風扇進行冷卻,冷卻水的進水溫度為20.5~22℃,出水溫度為28~30℃,風扇安裝在傳送帶的上下面,各自對齊,對著網帶,避免吹翻電池片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





