[發(fā)明專利]固態(tài)圖像拾取裝置和圖像拾取系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110251765.9 | 申請日: | 2011-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN102387318A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沖田彰 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H04N5/335 | 分類號: | H04N5/335;H04N5/225 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 楊小明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固態(tài) 圖像 拾取 裝置 系統(tǒng) | ||
1.一種固態(tài)圖像拾取裝置,包括:
第一光電轉(zhuǎn)換元件,第一光電轉(zhuǎn)換元件被配置為通過光電轉(zhuǎn)換生成電子;
第二光電轉(zhuǎn)換元件,第二光電轉(zhuǎn)換元件被配置為通過光電轉(zhuǎn)換生成電子;
共用的浮置節(jié)點(diǎn);
第一傳輸晶體管,第一傳輸晶體管被配置為將由第一光電轉(zhuǎn)換元件生成的電子傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn);
第二傳輸晶體管,第二傳輸晶體管被配置為將由第二光電轉(zhuǎn)換元件生成的電子傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn);和
重置晶體管,所述重置晶體管被配置為重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)上的電子,
所述固態(tài)圖像拾取裝置具有:
第一重置時(shí)間段,在所述第一重置時(shí)間段中,在第一光電轉(zhuǎn)換元件中的電子被傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn)之前,通過多個(gè)重置電壓順序地重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)上的電子;和
第二重置時(shí)間段,在所述第二重置時(shí)間段中,在第一光電轉(zhuǎn)換元件中的電子被傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn)之后并且在第二光電轉(zhuǎn)換元件中的電子被傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn)之前,通過第一重置電壓重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)上的電子,
其中,所述第一重置時(shí)間段和第二重置時(shí)間段的長度不同,
并且其中,所述第一重置時(shí)間段包括在其中通過所述多個(gè)重置電壓中的最高重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段,以及所述第二重置時(shí)間段包括在其中通過第一重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段,其中,這兩個(gè)子時(shí)間段的長度基本上相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,所述第二重置時(shí)間段還包括在其中通過比第一重置電壓低的第二重置電壓重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)的子時(shí)間段。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,多個(gè)柵極電壓被順序地施加于所述重置晶體管的柵極,從而通過多個(gè)重置電壓的序列重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,多個(gè)漏極電壓被順序地施加于所述重置晶體管的漏極,從而通過多個(gè)重置電壓的序列重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,第一重置時(shí)間段中的通過所述多個(gè)重置電壓中的最高重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段與第二重置時(shí)間段中的通過最高重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段之間的長度差小于或等于100ns。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,第一重置時(shí)間段中的通過所述多個(gè)重置電壓中的最高重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段與第二重置時(shí)間段中的通過最高重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段之間的長度差在10ns至10μs的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,供給到所述重置晶體管的多個(gè)柵極電壓中的最高電壓與次高電壓相差100mV或更多。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)圖像拾取裝置,其中,供給到所述重置晶體管的多個(gè)漏極電勢的最高電壓與次高電勢相差100mV或更多。
9.一種固態(tài)圖像拾取裝置,包括:
第一光電轉(zhuǎn)換元件,第一光電轉(zhuǎn)換元件被配置為通過光電轉(zhuǎn)換生成空穴;
第二光電轉(zhuǎn)換元件,第二光電轉(zhuǎn)換元件被配置為通過光電轉(zhuǎn)換生成空穴;
共用的浮置節(jié)點(diǎn);
第一傳輸晶體管,第一傳輸晶體管被配置為將由第一光電轉(zhuǎn)換元件生成的空穴傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn);
第二傳輸晶體管,第二傳輸晶體管被配置為將由第二光電轉(zhuǎn)換元件生成的空穴傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn);
重置晶體管,所述重置晶體管被配置為重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)上的空穴;
所述固態(tài)圖像拾取裝置具有:
第一重置時(shí)間段,在所述第一重置時(shí)間段中,在第一光電轉(zhuǎn)換元件中的空穴被傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn)之前,通過多個(gè)重置電壓順序地重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)上的空穴;和
第二重置時(shí)間段,在所述第二重置時(shí)間段中,在第一光電轉(zhuǎn)換元件中的空穴被傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn)之后并且在第二光電轉(zhuǎn)換元件中的空穴被傳輸?shù)剿龉灿玫母≈霉?jié)點(diǎn)之前,通過第一重置電壓重置所述共用的浮置節(jié)點(diǎn)上的空穴,
其中,所述第一重置時(shí)間段和第二重置時(shí)間段的長度不同,
并且其中,所述第一重置時(shí)間段包括在其中通過所述多個(gè)重置電壓中的最低重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段,以及所述第二重置時(shí)間段包括在其中通過第一重置電壓執(zhí)行重置的子時(shí)間段,其中,這兩個(gè)子時(shí)間段的長度基本上相等。
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