[發明專利]一種超結高壓功率MOSFET器件摻雜結構的染色分析方法無效
| 申請號： | 201110251595.4 | 申請日： | 2011-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN102435627A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 張濤 | 申請（專利權）人： | 上海華碧檢測技術有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/22 | 分類號： | G01N23/22;G01N1/30 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 200433 上海市楊*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 功率 mosfet 器件 摻雜 結構 染色 分析 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種超結高壓功率MOSFET器件摻雜結構的染色分析方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：
A、按照體積比HF∶HNO3∶CH3COOH＝1∶20∶8的比例進行超結的高壓功率MOSFET器件摻雜結構的染色液配制；
B、把金相切片好的樣品，浸泡入配置好的結染色液中10秒鐘后取出；
C、使用掃描電子顯微鏡進行截面觀察經過染色的超結的高壓功率MOSFET器件摻雜結構區，拍下掃描電子顯微鏡的掃描照片，并測量相關摻雜結構的結深。
2.根據權利要求1所述的一種超結高壓功率MOSFET器件摻雜結構的染色分析方法，其特征在于：所述步驟B中將樣品從結染色液中取出，不觸碰任何物體，確保器件截面的干凈。
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