[發明專利]半導體器件

無效

• 申請號: 201110251585.0
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102694017A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 下條亮平
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種電力半導體器件，其特征在于，具有：

第一導電型的第一半導體層；

第一導電型的第二半導體層，設置在上述第一半導體層之上，并具有比上述第一半導體層的第一導電型雜質濃度低的濃度的第一導電型雜質；

第二導電型的第三半導體層，形成在上述第二半導體層的與上述第一半導體層相反側的表面；

第一導電型的第四半導體層，形成在上述第三半導體層的與上述第一半導體層相反側的表面，并具有比上述第二半導體層的第一導電型雜質濃度高的濃度的第一導電型雜質；

柵極絕緣膜，與上述第二半導體層、上述第三半導體層及上述第四半導體層相接地設置；

柵極電極，隔著上述柵極絕緣膜與上述第二半導體層、上述三半導體層及上述第四半導體層對置地設置；

層間絕緣膜，設置在上述柵極電極上，與上述柵極絕緣膜一起覆蓋上述柵極電極；

第二導電型的第五半導體層，設置在上述第一半導體層的與上述第二半導體層相反側的表面上；

第二導電型的第六半導體層，設置在上述第五半導體層的與上述第一半導體層相反側的表面上，并具有比上述第五半導體層的第二導電型雜質濃度高的濃度的第二導電型雜質；

絕緣性的電流狹窄體，設置在上述第五半導體層內，具有與上述第五半導體層的上述表面平行的平面和設置在該平面內的間隙；

第一電極，與上述第六半導體電連接；以及

第二電極，與上述第三半導體層和上述第四半導體層電連接。

2.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

在上述電流狹窄體的上述間隙填充了上述第五半導體層，經由上述間隙，上述第五半導體層和上述第六半導體層電連接。

3.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體與上述第六半導體層相鄰。

4.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體隔著上述第五半導體層而與上述第六半導體層分離。

5.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體隔著上述第五半導體層而與上述第一半導體層分離。

6.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述第五半導體層的有效第二導電型雜質的濃度比上述第一半導體層的有效第一導電型雜質的濃度高。

7.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體是絕緣膜。

8.根據權利要求7所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述絕緣膜是氧化硅膜或氮化硅膜。

9.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體是空洞。

10.根據權利要求1所述的電力半導體器件，其特征在于，

形成了溝槽，該溝槽與上述第四半導體層相鄰、且從上述第四半導體層的表面貫通上述第三半導體層而到達上述第二半導體層中，

上述柵極電極隔著上述柵極絕緣膜設置在上述溝槽內。

11.根據權利要求2所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體與上述第六半導體層相鄰。

12.根據權利要求3所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述第五半導體層的有效第二導電型雜質的濃度比上述第一半導體層的有效第一導電型雜質的濃度高。

13.根據權利要求6所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體是絕緣膜。

14.根據權利要求13所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述絕緣膜是氧化硅膜或氮化硅膜。

15.根據權利要求14所述的電力半導體器件，其特征在于，

形成了溝槽，該溝槽與上述第四半導體層相鄰、且從上述第四半導體層的表面貫通上述第三半導體層而到達上述第二半導體層中，

上述柵極電極隔著上述柵極絕緣膜設置在上述溝槽內。

16.根據權利要6所述的電力半導體器件，其特征在于，

上述電流狹窄體是空洞。

17.根據權利要16所述的電力半導體器件，其特征在于，

形成了溝槽，該溝槽與上述第四半導體層相鄰、且從上述第四半導體層的表面貫通上述第三半導體層而到達上述第二半導體層中，

上述柵極電極隔著上述柵極絕緣膜設置在上述溝槽內。