[發明專利]金剛石線切割硅晶片的清洗方法

有效

• 申請號: 201110251543.7
• 申請日: 2011-08-30
• 公開（公告）號: CN102294332A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 于景;俞建業;曾斌;葉平;歐陽思周;湯瑋;胡凱
• 申請（專利權）人: 江西金葵能源科技有限公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12
• 代理公司: 萍鄉益源專利事務所 36119
• 代理人: 張放強

1.?金剛石線切割硅晶片的清洗方法，其特征在于：先將硅晶片放入超聲波清洗機中脫膠，再將硅晶片放入30-50℃的純水中使用超聲波進行清洗，然后將硅晶片放入加有乳酸且溫度為60-80℃的的純水槽中清洗并去除硅晶片表面殘膠，而后將硅晶片放入插片機進行插片，再將硅晶片放入純水中用超聲波清洗，再將硅晶片放入溫度為40-60℃的硅片清洗劑、氫氧化鈉和水的混合液中用超聲波清洗，再將硅晶片放入溫度為20-30℃的純水中用超聲波清洗，再將硅晶片放入溫度為100-140℃的甩干機中甩干。

2.根據權利要求所述的金剛石線切割硅晶片的清洗方法，其特征在于：所述方法步驟是：

（1）?將硅晶片放入超聲波清洗機中進行脫膠，再將脫膠后的硅晶片放入溫度為30-50℃的純水中使用超聲波清洗10-20分鐘；然后將硅晶片放入加有3-8%wt的乳酸且溫度為60-80℃的純水槽中清洗20-30分鐘，再用百潔布去除硅晶片表面殘膠，

（2）使用自動插片機進行插片，將疊在一起的硅晶片分開插在花籃內，

（3）將上述裝有硅晶片的花籃放入純水中，用超聲波清洗5分鐘，

（4）再將上述硅晶片放入溫度為40-60℃的硅片清洗劑、氫氧化鈉和與純水的混合液中用超聲波清洗5分鐘，所述硅片清洗劑與氫氧化鈉重量比為220︰1，所述100公斤純水中含氫氧化鈉重量為10-300克，

（5）再將上述硅晶片放入溫度為40-60℃的硅片清洗劑、氫氧化鈉與純水的混合液中用超聲波清洗5分鐘，所述硅片清洗劑與氫氧化鈉重量比為110︰1，所述100公斤純水中含氫氧化鈉重量為10-300克，

（6）再將上述硅晶片放入溫度為20-30℃的純水中，用超聲波清洗5分鐘，清洗3次，

（7）再將上述硅晶片放入溫度為100-140℃的甩干機中甩干5-10分鐘。