[發明專利]一種鐵電薄膜柵增強型GaN異質結場效應晶體管無效
| 申請號： | 201110251405.9 | 申請日： | 2011-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN102299176A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發明（設計）人： | 朱俊;郝蘭眾;李言榮;張萬里 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/51 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 增強 gan 異質結 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種鐵電薄膜柵增強型GaN異質結場效應晶體管，包括位于襯底表面、(0001)晶向的GaN薄膜；位于GaN薄膜表面、(0001)晶向的AlxGa1-xN薄膜，其中0＜x≤1；所述AlxGa1-xN薄膜與GaN薄膜形成GaN異質結；在所述AlxGa1-xN薄膜上具有柵、源、漏電極，其中柵電極位于源電極和漏電極之間，且在柵電極與AlxGa1-xN薄膜之間具有柵介質薄膜；其特征在于，所述柵介質薄膜或者是LiNbO3(LNO)鐵電薄膜、或者是LiTaO3(LTO)鐵電薄膜、或者是M元素摻雜的LNO或LTO鐵電薄膜。
2.根據權利要求1所述的鐵電薄膜柵增強型GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述M元素摻雜的LNO或LTO鐵電薄膜的摻雜元素M為Mg、Ca、Sr、Zn或Fe中的一種或幾種，并且化學配比滿足(Li+M)∶Nb∶O＝1∶1∶3或(Li+M)∶Ta∶O＝1∶1∶3。
3.根據權利要求1所述的鐵電薄膜柵增強型GaN異質結場效應晶體管，其特征在于，所述襯底材料為碳化硅、硅或藍寶石。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于電子科技大學，未經電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110251405.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
