[發(fā)明專利]發(fā)光器件制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110251381.7 | 申請日： | 2008-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN102330151A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 藤原伸介;吉田浩章 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 陳海濤;樊衛(wèi)民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種發(fā)光器件制造方法，其特征在于，在III族氮化物晶體襯底上形成至少單層的III族氮化物層，所述III族氮化物晶體襯底具有表面積不小于10cm2的主面，其中，在主面的除了從其外周到距離該外周5mm范圍內(nèi)的外周邊緣區(qū)域之外的主要區(qū)域中，總位錯密度是1×104cm-2至3×106cm-2，并且螺旋位錯密度對所述總位錯密度的比率是0.5以上。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件制造方法，其中所述螺旋位錯密度對所述總位錯密度的比率是0.9以上。
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