[發明專利]化合物半導體器件、其制造方法、電源器件和高頻放大器

有效

• 申請號: 201110251335.7
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102386222A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 美濃浦優一
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張志杰

1.一種化合物半導體器件，包括：

襯底，具有在該襯底的背側形成的開口；

化合物半導體層，布置在所述襯底的表面之上；

局部p型區域，位于所述化合物半導體層中，所述局部p型區域被部分地暴露在所述襯底開口的底部；以及

背部電極，由導電材料制成，所述背部電極被布置在所述襯底開口中，以連接至所述局部p型區域。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中，所述襯底為絕緣和半絕緣之一，并且其中，所述背部電極覆蓋所述開口的內壁和底部。

3.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括在所述化合物半導體層之上形成的源極電極，其中，所述襯底開口位于所述源極電極之下，以與所述源極電極對準。

4.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括在所述化合物半導體層之上形成的源極線，其中，所述襯底開口位于所述源極線之下，以與所述源極線對準。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括在所述化合物半導體層之上形成的源極電極和源極線，其中，所述開口位于布置有所述源極電極和所述源極線的區域之下，以與該區域對準。

6.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括在所述化合物半導體層之上形成的源極電極和柵極電極，其中所述襯底開口位于布置有所述源極電極和所述柵極電極的區域之下，以與該區域對準。

7.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括在所述化合物半導體層之上形成的源極線和柵極線，其中，所述襯底開口位于布置有所述源極線和所述柵極線的區域之下，以與該區域對準。

8.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，還包括在所述化合物半導體層之上形成的源極電極、源極線、柵極電極和柵極線，其中，所述襯底開口位于布置有所述源極電極、所述源極線、所述柵極電極和所述柵極線的區域之下，以與該區域對準。

9.一種制造化合物半導體器件的方法，所述方法包括如下步驟：

在襯底的表面之上形成化合物半導體層；

在所述襯底的背側形成用于暴露所述化合物半導體層的一部分的開口；

通過將p型摻雜物引入至所述化合物半導體層的該部分，從而形成被部分地暴露在所述襯底開口的底部的局部p型區域；以及

形成由導電材料制成的背部電極，以將其布置在所述襯底開口中并連接至所述p型區域。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述襯底為絕緣和半絕緣之一，并且其中，所述背部電極在所述襯底的背表面之上形成，以覆蓋所述襯底開口的內壁和底部。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述p型摻雜物是鈹離子和鎂離子之一。

12.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：在所述襯底開口的底部之上形成源極電極，以與所述襯底開口的底部對準。

13.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：在所述襯底開口的底部之上形成源極線，以與所述襯底開口的底部對準。

14.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：在所述襯底開口的底部之上形成源極電極和源極線，使得布置有所述源極電極和所述源極線的區域與所述襯底開口的底部對準。

15.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：在所述襯底開口的底部之上形成源極電極和柵極電極，使得布置有所述源極電極和所述柵極電極的區域與所述襯底開口的底部對準。

16.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：在所述襯底開口的底部之上形成源極線和柵極線，使得布置有所述源極線和所述柵極線的區域與所述襯底開口的底部對準。

17.根據權利要求9所述的方法，還包括如下步驟：在所述襯底開口的底部之上形成源極電極、源極線、柵極電極和柵極線，使得布置有所述源極電極、所述源極線、所述柵極電極和所述柵極線的區域與所述襯底開口的底部對準。