[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110251334.2
• 申請日: 2011-08-23
• 公開（公告）號: CN102447074A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李律圭;柳春其;樸鮮;樸鐘賢;金大宇
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);王占杰

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

底電容器電極和薄膜晶體管的有源層，形成在基底的上方，其中，底電容器電極包括與有源層形成在同一層并摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料；

第一絕緣層，形成在基底的上方，以覆蓋有源層和底電容器電極；

柵電極，形成在第一絕緣層的上方，其中，柵電極包括順序地堆疊在第一絕緣層上的第一柵電極和第二柵電極，第一柵電極包括透明導(dǎo)電材料，第二柵電極包括金屬；

像素電極和頂電容器電極，其中，像素電極形成在第一絕緣層上，像素電極包括透明導(dǎo)電材料，頂電容器電極與像素電極形成在同一層，頂電容器電極包括透明導(dǎo)電材料；

薄膜晶體管的源電極和漏電極，電連接到有源層；

第二絕緣層，形成在第一絕緣層與源電極之間以及第一絕緣層與漏電極之間，并包括暴露整個頂電容器電極的第一接觸孔和暴露整個像素電極的第二接觸孔中的至少一個；

第三絕緣層，形成在第二絕緣層上，并暴露像素電極；

發(fā)射層，形成在像素電極的上方；以及

對電極，設(shè)置在像素電極的上方并面對像素電極，其中，發(fā)射層設(shè)置在像素電極和對電極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第一柵電極、像素電極和頂電容器電極包括相同的透明導(dǎo)電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，透明導(dǎo)電材料包括從由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、氧化鋁鋅組成的組中選擇的至少一種材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在頂電容器電極的外側(cè)與第一接觸孔的內(nèi)側(cè)壁之間形成有間隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在所述間隙中設(shè)置有第三絕緣層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，連接到底電容器電極的電容器導(dǎo)線與底電容器電極形成在同一層，電容器導(dǎo)線包括摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，底電容器電極與電容器導(dǎo)線之間的連接部摻雜有離子雜質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在像素電極的外側(cè)與第二接觸孔的內(nèi)側(cè)壁之間形成有間隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在所述間隙中設(shè)置有第三絕緣層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，第三絕緣層包括有機(jī)絕緣材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，有源層包括摻雜有離子雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，半導(dǎo)體材料包括非晶硅或結(jié)晶硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，對電極是反射從發(fā)射層發(fā)射的光的反射電極。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在基底與第一絕緣層之間設(shè)置有折射率與第一絕緣層的折射率不同的至少一個絕緣層。