[發明專利]Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡及其制作方法無效
| 申請號: | 201110250663.5 | 申請日: | 2011-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN102955185A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發明(設計)人: | 朱京濤;周斯卡;李浩川;王占山 | 申請(專利權)人: | 同濟大學 |
| 主分類號: | G02B5/08 | 分類號: | G02B5/08;G02B1/10;B32B9/04;B32B15/00 |
| 代理公司: | 上??剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mg mo sic 紫外 多層 反射 及其 制作方法 | ||
1.Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡,其特征在于,該反射鏡由硅片或玻璃的基底(1)、打底層(2)及Mg/Mo/SiC周期多層膜(6)構成,所述的Mg/Mo/SiC周期多層膜(6)由多層厚度恒定的Mg膜(3)、Mo膜(4)及SiC膜(5)周期排列組成。
2.根據權利要求1所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡,其特征在于,所述的硅片為超光滑的晶向為(100)的單晶硅片。
3.根據權利要求1所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡,其特征在于,所述的打底層(2)鍍制在基底(1)上,打底層(2)為厚度2-3納米的SiC。
4.根據權利要求1所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡,其特征在于,所述的Mg/Mo/SiC周期多層膜(6)鍍制在打底層(2)上,每個周期自下而上鍍制的第一層為Mg膜層,第二層為Mo膜層,最后一層為SiC膜層,周期數為30-40,Mg/Mo/SiC多層膜總厚度為450-640納米。
5.根據權利要求1所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡,其特征在于,所述的Mg膜層(3)的厚度為9-11納米Mo膜層(4)的厚度為1-1.5納米;SiC膜層(5)的厚度為3-4.5納米。
6.如權利要求1所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡的制作方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
1)在超光滑的硅片或玻璃基底(1)上鍍制厚度為2-3納米的SiC作為打底層(2);
2)在SiC的打底層(2)上鍍制Mg/Mo/SiC周期多層膜(6),鍍制每個周期時,鍍制順序依次為Mg,Mo,SiC,完成30-40周期的鍍制,即可得到Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡。
7.根據權利要求6所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡的制作方法,其特征在于,所述的打底層(2)及Mg/Mo/SiC周期多層膜(6)均采用直流磁控濺射方法進行鍍制。
8.根據權利要求6所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡的制作方法,其特征在于,所述的打底層(2)及Mg/Mo/SiC周期多層膜(6)所采用的Mg靶、Mo靶和SiC靶的材料純度分別為99.95%,99.5%,99.5%。
9.根據權利要求6所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡的制作方法,其特征在于,在鍍制打底層(2)前基底(1)本底的真空度優于8E-5帕斯卡。
10.根據權利要求6所述的Mg/Mo/SiC極紫外多層膜反射鏡的制作方法,其特征在于,所述的打底層(2)及Mg/Mo/SiC周期多層膜(6)在鍍制過程中采用的工作氣體為氬氣,純度為99.999%,鍍制過程中工作氣壓恒為0.13帕斯卡。
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