[發明專利]一種預防在雙應力氮化硅工藝中光阻失效的方法

無效

• 申請號: 201110250285.0
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102446742A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 徐強;張文廣;鄭春生;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/8238
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種預防在雙應力氮化硅工藝中光阻失效的方法，提供具有至少一個第一晶體管和至少一個第二晶體管半導體基體；淀積第一氮化硅薄膜在所述半導體基體上并覆蓋所述第一晶體管和所述第二晶體管，其特征在于，接著執行如下步驟：

用含氧等離子體處理所述第一氮化硅薄膜使所述第一氮化硅薄膜表面游離的氮元素下降；

淀積第一光阻覆蓋所述第一氮化硅薄膜，再進行曝光去除位于第一晶體管豎直上方的第一光阻部分，使所述第一氮化硅薄膜位于第一晶體管豎直上方的部分露出；

刻蝕去除所述第一氮化硅薄膜位于第一晶體管豎直上方的部分，使所述第一晶體管露出；

去除剩余在第二晶體管豎直上方的第一光阻，使所述第一氮化硅薄膜剩余在所述第二晶體管上方的部分露出；

淀積第二氮化硅薄膜覆蓋所述露出的第一晶體管和所述第一氮化硅薄膜剩余的部分；

用含氧等離子體處理所述第二氮化硅薄膜使所述第二氮化硅薄膜表面游離的氮元素下降；

淀積第二光阻覆蓋所述第二氮化硅薄膜，再進行曝光去除位于第二晶體管豎直上方的第二光阻部分，使所述第二氮化硅薄膜剩余在所述第二晶體管豎直上方的部分露出；

刻蝕去除所述第二氮化硅薄膜位于第二晶體管豎直上方的部分，使所述第一氮化硅薄膜剩余在所述第二晶體管上方的剩余部分露出；

去除所述第二光阻剩余在所述第一晶體管豎直上方的部分，使所述第二氮化硅薄膜剩余在所述第一晶體管豎直上方的部分露出。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一晶體管為PMOS管，所述第一氮化硅薄膜為高拉應力氮化硅薄膜。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶體管為NMOS管，所述第二氮化硅薄膜為高壓應力氮化硅薄膜。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法，其特征在于，用所述含氧等離子體處理時的溫度的取值范圍為300度至500度。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，用所述含氧等離子體處理時的壓強的取值范圍為2托至8托。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，用所述含氧等離子體處理時的持續時間的取值范圍為2秒至20秒。