[發明專利]一種降低接觸孔的接觸電阻的制造方法

無效

• 申請號: 201110250273.8
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102437096A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 張亮;傅昶;胡友存;鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種降低接觸孔的接觸電阻的制造方法，其特征在于，首先，采用雙大馬士革工藝，經過曝光刻蝕之后，獲得中空的接觸孔以及金屬層溝槽的結構；接著，進行鎢栓的制造工藝，部分填充形成接觸孔以及溝槽結構；隨后，在所形成的金屬鎢上進行銅的阻擋層，籽晶層生長；然后，利用電鍍將銅填滿接觸孔以及溝槽的結構，并且形成一定的冗余銅；最后，利用化學機械研磨，去除多余的銅材料，并且使得表面形貌平坦化。

2.根據權利要求1所述降低接觸孔的接觸電阻的制造方法，其特征在于，大馬士革工藝形成的結構為接觸孔與金屬層的雙層結構。

3.根據權利要求1所述降低接觸孔的接觸電阻的制造方法，其特征在于，利用物理氣相沉積生長鎢的阻擋層鈦/氮化鉭和部分填充金屬鎢層。

4.根據權利要求1所述降低接觸孔的接觸電阻的制造方法，其特征在于，利用物理氣相沉積生長銅的阻擋層氮化鉭/鉭。

5.根據權利要求1所述降低接觸孔的接觸電阻的制造方法，其特征在于，鎢栓的導電有效高度為接觸孔高度的10%—90%。