[發明專利]一種提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝集成方法

有效

• 申請號: 201110250271.9
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102446740A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 鄭春生;張文廣;徐強;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;H01L21/3213
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝集成方法，其特征在于，其工藝步驟如下：

1）在半導體硅襯底的有源區上形成柵極結構；

2）進行上光阻工藝，光阻通過噴嘴被噴涂在高速旋轉的晶圓表面，并在離心力的作用下被均勻地涂布在晶圓表面，形成厚度均勻的光阻薄膜；

3）進行圖形化處理，對半導體襯底的光刻膠層分別進行曝光，將布局圖形轉移至半導體襯底的光刻膠層上；

4）使用干法刻蝕多晶硅柵極；

5）去除光阻，形成帶有開槽的柵極結構。

2.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述開槽柵極的開槽區域僅限于襯底為淺溝槽區域的柵極。

3.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述開槽柵極的柵極剖面呈現槽形。

4.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述開槽柵極底部是活性區隔離氧化物。

5.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述開槽柵極的上部開槽寬度小于下部襯底的淺溝槽特征尺寸。

6.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述開槽柵極的開槽形狀為矩形或倒梯形。

7.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述柵極成型之后，加入圖形化將柵極加工成需要的最終形狀。

8.如權利要求1所述的提高金屬前介質層PMD空隙填充特性的工藝，其特征在于，所述柵極的電阻值變化通過離子注入方式進行調整。