[發明專利]一種防止酸槽清洗空洞形成的半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201110250270.4
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102446970A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 鄭春生;張文廣;徐強;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種防止酸槽清洗空洞形成的半導體器件，其特征在于，包括柵極和金屬硅化物層；其中，所述柵極外側由里至外依次覆蓋有多層側壁，而所述金屬硅化物層覆蓋于所述多層側壁和所述柵極的上方；所述多層側壁中最外層側壁為氮硅化合物制成的擴散阻擋層，所述擴散阻擋層下端與柵極的源極或是漏極相連接，用于防止側壁成型工藝過程中側壁損失所導致的在側壁的下方靠近源極或漏極側所形成的空洞，進而防止空洞使得金屬硅化物層中的金屬離子有空洞擴散滲透至柵極的淺溝道中所導致的源極與漏極導通。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述多層側壁包括多層氧化物側壁和多層氮硅化合物側壁；所述氮硅化合物側壁和氧化物側壁間隔排列，且靠近所述柵極的最內層側壁為柵氧化層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極包括四層側壁，由里至外依次為柵氧化層；第一氮化硅層；第二氧化物層和擴散阻擋層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬硅化物層采用含鎳的基體和硅的基體反應形成的鎳硅化合物制成。

5.一種制備權利要求1所述的防止酸槽清洗空洞形成的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述半導體器件的制備包括以下步驟：

步驟一、在半導體襯底上建立柵極，并在所述柵極外側形成多層側壁，并完成源極與漏極離子注入；

步驟二、刻蝕移除柵極最外層的側壁，并在覆蓋有其余多層側壁的柵極上方由下至上依次覆蓋一層氮硅化合物保護層和另一層金屬氧化物層；?

步驟三、采用刻蝕工藝完全去除覆蓋所述氮硅化合物保護層上方的金屬氧化物層，以及去除部分的氮硅化合物保護層，且剩余的氮硅化合物保護層在柵極的外側形成一層擴散阻擋層，且所述擴散阻擋層與所述柵極的源極或漏極相連接其包裹住所述的多層側壁；

步驟四、在所述柵極上方覆蓋一層金屬硅化物層，并完成半導體器件制備。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟1中，所述多層側壁包括采用氧化物制成的氧化物側壁和采用氮硅化合物制成的氮硅化合物側壁；所述氮硅化合物側壁和氧化物側壁間隔排列，且靠近所述柵極的最內層側壁為柵氧化層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述步驟1中，由里至外由里至外依次覆蓋一層柵氧化層、第一氮化硅層、第二氧化物層和第二氮化硅層。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬硅化物層采用含鎳的基體和硅的基體反應形成的鎳硅化合物制成。