[發明專利]一種淺溝槽隔離填充的方法無效
| 申請號： | 201110250269.1 | 申請日： | 2011-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN102427051A | 公開（公告）日： | 2012-04-25 |
| 發明（設計）人： | 張文廣;徐強;陳玉文;鄭春生 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 隔離 填充 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種淺溝槽隔離填充的方法，其特征在于，包括以下的步驟：
步驟S1：提供一硅襯底并在所述硅襯底上沉積一層二氧化硅薄膜；
步驟S2：在所述二氧化硅薄膜上依次沉積一層底部抗反射涂層和一層光刻膠層；
步驟S3：進行光刻工藝，在所述光刻膠層中形成多個開口；
步驟S4：通過所述開口蝕刻所述二氧化硅薄膜以形成位于二氧化硅薄膜內的多個溝槽；
步驟S5：在溝槽內生長硅外延層以形成有源區；
其中，相鄰的有源區之間的二氧化硅薄膜構成淺溝槽隔離結構，并且所述有源區用于構成金屬氧化物半導體場效應晶體管的阱區。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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