[發明專利]一種在一體化氧化膜刻蝕工藝中去膠的工藝方法

無效

• 申請號: 201110250244.1
• 申請日: 2011-08-29
• 公開（公告）號: CN102427056A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 任昱
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種在一體化氧化膜刻蝕工藝中去膠的工藝方法，其中，在硅片所包含的底層介質層中形成有金屬互連線，底層介質層之上依次覆蓋有刻蝕阻擋層和氧化層，并在氧化層中形成溝槽，及在氧化層的位于溝槽下方的區域中形成有通孔，所述通孔貫穿刻蝕阻擋層并與金屬互連線接觸，其特征在于，包括以下工藝步驟：

步驟一，在反應腔室中對硅片表面的光刻膠進行移除之前，先在反應腔室內注入高壓態反應氣體，利用所注入的高壓態反應氣體去除在反應腔室表面吸附的銅聚合物；?

步驟二，在反應腔室中注入低壓態反應氣體，利用低壓態反應氣體移去覆蓋在硅片表面的光刻膠；

步驟三，在所述通孔和溝槽內填充金屬材料；

其中，在刻蝕氧化層形成溝槽的過程中，除去反應腔室表面吸附的銅聚合物用于使反應腔室的電容狀態及刻蝕速率保持穩定，避免過多的蝕刻位于所述溝槽下方的氧化層，從而提高溝槽內填充金屬材料的金屬電阻率的穩定性。

2.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述高壓、低壓態反應氣體為氧氣。

3.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述高壓態反應氣體的注入量大于100mTorr。

4.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述低壓態反應氣體的注入量小于50mTorr。

5.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，所述反應腔室為刻蝕腔室。