[發明專利]CVD反應腔及CVD設備

有效

• 申請號: 201110249627.7
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN102953046A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 張秀川;張建勇;董志清
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/46
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種化學氣相沉積CVD反應腔，其特征在于，包括：

反應腔室；

多個托盤，所述多個托盤位于所述反應腔室之內，且所述多個托盤呈間隔排列；

設置在所述反應腔室外壁的第一加熱裝置；和

設置在所述反應腔室之內的第二加熱裝置，所述第二加熱裝置的加熱功率小于所述第一加熱裝置的加熱功率。

2.根據權利要求1所述的CVD反應腔，其特征在于，還包括：

進氣裝置，所述進氣裝置位于所述反應腔室中心軸處，且所述進氣裝置具有多個第一排氣孔。

3.根據權利要求2所述的CVD反應腔，其特征在于，所述第一加熱裝置包括：

設置在所述反應腔室外壁上的多個第一感應線圈。

4.根據權利要求3所述的CVD反應腔，其特征在于，所述第二加熱裝置包括：

設置在所述進氣裝置和所述多個托盤之間的多個第二感應線圈。

5.根據權利要求4所述的CVD反應腔，其特征在于，還包括：

磁場屏蔽部件，所述磁場屏蔽部件設置在所述第二感應線圈和所述進氣裝置之間，且所述磁場屏蔽部件具有多個第二排氣孔，所述多個第二排氣孔分別與所述多個第一排氣孔對應。

6.根據權利要求5所述的CVD反應腔，其特征在于，所述磁場屏蔽部件為筒狀，且所述磁場屏蔽部件套設在所述進氣裝置的外部。

7.根據權利要求5所述的CVD反應腔，其特征在于，如果所述第二感應線圈通入的交流電頻率小于500Hz，則所述磁場屏蔽部件為高導磁材料，如果所述第二感應線圈通入的交流電頻率大于或等于500Hz，則所述磁場屏蔽部件為高導電材料。

8.根據權利要求3所述的CVD反應腔，其特征在于，所述第二加熱裝置包括：

設置在所述進氣裝置和所述多個托盤之間的多個加熱電阻。

9.一種CVD設備，其特征在于，包括：

CVD反應腔，所述CVD反應腔為如權利要求1-8任一項所述的CVD反應腔；

第一加熱控制器，所述第一加熱控制器與所述第一加熱裝置相連，所述第一加熱控制器控制所述第一加熱裝置以第一加熱功率加熱；和

第二加熱控制器，所述第二加熱控制器與所述第二加熱裝置相連，所述第二加熱控制器控制所述第二加熱裝置以第二加熱功率加熱，其中，所述第一加熱功率大于所述第二加熱功率。