[發明專利]一種淺槽隔離結構及制作方法

有效

• 申請號: 201110249443.0
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN102956537A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 劉金華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種淺槽隔離的制作方法，該方法包括：

提供半導體襯底，在半導體襯底上依次形成第一氧化層和第一氮化硅層；

采用光刻和刻蝕工藝依次刻蝕第一氮化硅層及第一氧化層，形成第一溝槽；

沉積第二氧化硅層，以第一氮化硅層為刻蝕停止層，干法刻蝕后，在半導體襯底上形成第二溝槽；

繼續采用干法刻蝕，在半導體襯底的n阱和p阱之間形成與第二溝槽同寬的第三溝槽；

在第三溝槽中填充氧化硅，在半導體襯底上形成T型的隔離結構；

濕法清洗掉第一氮化硅層和第一氧化層后，進行半導體襯底的外延生長，得到外延層；

在具有外延層的半導體襯底沉積第二氧化層及第二氮化層后，在第二氮化硅層上沉積第三氧化硅層后，拋光至第二氮化硅層，形成STI結構的上方區域；

去除第二氮化層及第二氧化層，形成了STI結構。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用光刻和刻蝕工藝依次刻蝕第一氮化硅層及第一氧化層的過程為：

在第一氮化硅層上涂覆光刻膠層后，采用寬度大于T型的隔離結構中的“1”部分寬度圖案的圖案曝光并顯影光刻膠層，在光刻膠層形成寬度大于T型的隔離結構中的“1”部分寬度圖案的圖案，然后以具有該圖案的光刻膠層為掩膜，對第一氮化硅層及第一氧化層干法離子刻蝕，在第一氮化硅層及第一氧化層中形成寬度大于T型的隔離結構中的“1”部分寬度圖案的第一溝槽。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述寬度大于量不小于后續沉積第二氧化層的厚度。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述拋光為用化學機械平坦化CMP方法。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述T型的隔離結構中的“1”部分為倒梯形結構。

6.如權利要求1～5任意一項所述的方法，其特征在于，該方法還包括：

在所述STI結構的兩邊，分別制作n阱和p阱；

在n阱和p阱中，分別制作有源區。

7.一種淺槽隔離結構，包括：在半導體襯底中的n阱和p阱之間具有：T型結構區域和上方區域結構，其中，

T型結構區域位于上方區域結構下方，由氧化硅構成，上方區域結構由三層構成，三層為底層氧化層、氮化硅層及頂層氧化硅層構成，寬度小于T型結構區域的“一”部份寬度。

8.如權利要求7所述的結構，其特征在于，所述T型結構區域的”1”部分為倒梯形結構。