[發明專利]鰭狀晶體管與其制作方法

有效

• 申請號: 201110249354.6
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN102956466B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 蔡振華;黃瑞民;戴圣輝;林俊賢
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/283
• 分類號: H01L21/283;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種形成鰭狀晶體管的方法，包括：

提供基底；

于該基底上形成掩模層；

于該掩模層以及該基底中形成第一溝槽；

于該第一溝槽中形成半導體層；

移除該掩模層，使得該半導體層形成鰭狀結構嵌入在該基底中且突出于該基底上；以及

形成柵極覆蓋在該鰭狀結構上。

2.如權利要求1所述的形成鰭狀晶體管的方法，還包括形成淺溝槽隔離以定義有源區。

3.如權利要求2所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中先形成該淺溝槽隔離，再移除該掩模層。

4.如權利要求1所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中形成該半導體層的方法包括選擇性外延生長工藝。

5.如權利要求1所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中形成該半導體層的方法包括循環退火工藝。

6.如權利要求1所述的形成鰭狀晶體管的方法，還包括在該基底以及該掩模層之間形成物質層。

7.如權利要求6所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中該物質層包括二氧化硅。

8.如權利要求1所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中該半導體層包括硅層、鍺層、硅鍺層或上述的組合。

9.一種形成鰭狀晶體管的方法，包括：

提供基底；

于該基底上形成掩模層；

于該掩模層以及該基底中形成第一溝槽；

于該第一溝槽中形成半導體層；

形成淺溝槽隔離以定義有源區，其中該半導體層設置于該有源區中；

形成該淺溝槽隔離后，移除該掩模層，使得該半導體層形成鰭狀結構嵌入在該基底中且突出于該基底上；

形成柵極于該鰭狀結構上。

10.如權利要求9所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中形成該半導體層的方法包括選擇性外延生長工藝。

11.如權利要求9所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中形成該半導體層的方法包括循環退火工藝。

12.如權利要求9所述的形成鰭狀晶體管的方法，還包括在該基底以及該掩模層之間形成物質層。

13.如權利要求12所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中該物質層包括二氧化硅。

14.如權利要求9所述的形成鰭狀晶體管的方法，其中該半導體層包括硅層、鍺層、硅鍺層或上述的組合。

15.一種鰭狀晶體管，包括：

基底；

鰭狀結構，嵌入在該基底中，該鰭狀結構突出于該基底上；

柵極介電層，覆蓋在該鰭狀結構的表面；以及

柵極，覆蓋在該柵極介電層上。

16.如權利要求15所述的鰭狀晶體管，其中該鰭狀結構包括硅層、鍺層、硅鍺層或上述的組合。

17.如權利要求15所述的鰭狀晶體管，其中該鰭狀結構具有朝向基底漸縮的結構。

18.如權利要求15所述的鰭狀晶體管，還包括硅應力層，該應力層設置于該鰭狀結構與該柵極介電層之間。

19.如權利要求15所述的鰭狀晶體管，其中該鰭狀結構包括伸張硅鍺層，且該鰭狀晶體管還包括第二硅鍺層設置于該鰭狀結構與該柵極介電層之間，且該第二硅鍺層中鍺的含量大于該鰭狀結構中鍺的含量。

20.如權利要求15所述的鰭狀晶體管，其中該鰭狀結構包括伸張硅鍺層，且該鰭狀晶體管還包括硅應力層設置于該鰭狀結構的側壁。