[發(fā)明專利]一種高端電池電壓的采樣電路及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110249257.7 | 申請日: | 2011-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN102955056A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 付則松;馬先林;王磊;蕭碩 | 申請(專利權(quán))人: | 華潤矽威科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G01R19/00 | 分類號: | G01R19/00;G01R31/36 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201103 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高端 電池 電壓 采樣 電路 方法 | ||
1.一種高端電池電壓的采樣電路及方法,其特征在于,包括電壓轉(zhuǎn)電流電路,電流轉(zhuǎn)電壓電路,所述電壓轉(zhuǎn)電流電路用于把電池電壓轉(zhuǎn)換成電流,所述電流通過所述電流轉(zhuǎn)電壓電路傳輸?shù)叫酒?,所述電流轉(zhuǎn)電壓電路兩端形成的電壓差為采樣電壓,所述電流轉(zhuǎn)電壓電路是所述電壓轉(zhuǎn)電流電路的鏡像復制電路,所述采樣電壓值等于所述高壓電池電壓值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高端電池電壓的采樣電路,其特征在于,所述電壓轉(zhuǎn)電流電路包括第一電阻和第一MOS管,所述第一電阻一端連接所述第一MOS管的源極,另一端連接所述高壓電池的正極,所述第一MOS管的柵極連接所述高壓電池的負極,所述第一MOS管的漏極作為所述電壓轉(zhuǎn)電流電路的輸出端,用于輸出電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高端電池電壓的采樣電路,其特征在于,所述電流轉(zhuǎn)電壓電路包括第二電阻和第二MOS管,所述第二電阻一端作為所述電流轉(zhuǎn)電壓電路的輸入端,另一端連接所述第二MOS管的源極,所述第二MOS管的漏極和柵極均接芯片地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高端電池電壓的采樣電路,其特征在于,所述第二電阻和所述第一電阻相同,所述第二MOS管和所述第一MOS管相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的高壓電池電壓的采樣電路,其特征在于,所述第一MOS管和所述第二MOS管均為低壓MOS管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高端電池電壓的采樣電路,其特征在于,還包括一偏置電路,所述偏置電路中包括第三MOS管以及第四MOS管,所述第三MOS管的源極連接所述第一MOS管的漏極,所述第三MOS管的漏極連接所述第四MOS管的源極,所述第四MOS管的漏極連接所述電流轉(zhuǎn)電壓電路的輸入端,所述第三MOS管和所述第四MOS管的柵極分別連接所述偏置電路,所述第三MOS管和所述第四MOS管為高壓MOS管,其用于防止第一MOS管M1和第二MOS管M2被高壓電擊穿。
7.一種高端電池電壓的采樣方法,用于多節(jié)電池串聯(lián)的電池電壓采樣的電路之中,其特征在于,包括:
用電壓轉(zhuǎn)電流電路的低壓器件將待采樣高壓轉(zhuǎn)換成電流;
所述電流通過電流轉(zhuǎn)電壓電路的低壓器件后傳輸?shù)叫酒兀纬上鄬π酒氐牟蓸与妷骸?/p>
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華潤矽威科技(上海)有限公司,未經(jīng)華潤矽威科技(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110249257.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





