[發明專利]大直徑MOCVD反應器的噴淋頭有效
| 申請號: | 201110249030.2 | 申請日: | 2011-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN102953050A | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發明(設計)人: | 徐小明;周永君;鄔建偉;丁云鑫 | 申請(專利權)人: | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 喻學兵 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 直徑 mocvd 反應器 噴淋 | ||
1.大直徑MOCVD反應器的噴淋頭,包括III族腔、V族腔以及冷卻水腔,其特征在于,III族腔、V族腔以及冷卻水腔均分隔為N個腔體,N是大于等于2的自然數,每腔體均為一單體。
2.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,冷卻水腔的各個腔體的進水部位于各個腔體的內側中心,且出水部位于各個腔體的外周位置。
3.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,在噴淋頭的正中間,通入一根V氣體的管道至噴淋頭下方的反應腔。
4.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,III族腔的各腔體通過一塊配流孔板分成上、下兩個腔,上、下兩個腔通過配流孔板上的孔相通。
5.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,所述N個腔體為四個等分的腔體。
6.如權利要求1所述的噴淋頭,其特征在于,III族腔、V族腔以及冷卻水腔為圓形,II族腔、V族腔以及冷卻水腔的各個腔體為扇形。
7.如權利要求4所述的噴淋頭,其特征在于,包括頂部組件和噴淋組件,頂部組件包括上蓋板,上蓋板提供有所述III族腔,上蓋板上形成有III族氣體進入通道,該III族氣體進入通道與所述III族腔的上腔連通;噴淋組件包括N個噴淋單元,各噴淋單元包括上孔板、中間孔板、下孔板、圈圍側壁、上毛細管組以及下毛細管組,上孔板、中間孔板以及環繞上孔板、中間孔板的圈圍側壁圍成所述V族腔的一個腔體,圈圍側壁上形成有通往V族腔的該腔體的V族氣體進入通道,中間孔板、下孔板以及環繞中間孔板、下孔板的圈圍側壁圍成所述冷卻水腔的一個腔體,上毛細管組的各管穿設在上孔板、中間孔板、下孔板的孔中,下毛細管組的各管穿設在中間孔板、下孔板的孔中,V族腔和冷卻水腔不相通,下毛細管組將V族腔和噴淋頭下方的反應腔導通;噴淋組件位于頂部組件的下方,上毛細管組的各管將下III族腔與噴淋頭下方的反應腔導通;上毛細管組和下毛細管組交錯布置。
8.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,噴淋組件的外圍環繞有冷卻水環。
9.如權利要求7所述的噴淋頭,其特征在于,還包括用于分配冷卻水的配流管,各冷卻水腔的各個腔體的進水部位于各個腔體的內側中心,且出水部位于各個腔體的外周位置,各進水部通過進水管連接至同一該配流管。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





