[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路、電子設(shè)備、固態(tài)攝像裝置和攝像裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110248188.8
• 申請(qǐng)日: 2011-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN102386195A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 工藤義治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/225
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;陳桂香

1.一種半導(dǎo)體集成電路，其包括：

第一半導(dǎo)體基板，在所述第一半導(dǎo)體基板中形成模擬電路和數(shù)字電路之中的所述模擬電路的一部分，所述數(shù)字電路對(duì)輸出自所述模擬電路的模擬輸出信號(hào)進(jìn)行數(shù)字轉(zhuǎn)換；

第二半導(dǎo)體基板，在所述第二半導(dǎo)體基板中形成所述模擬電路的其余部分和所述數(shù)字電路；和

基板連接部，其將所述第一半導(dǎo)體基板和所述第二半導(dǎo)體基板彼此連接，

其中，所述基板連接部將所述第一半導(dǎo)體基板中的所述模擬電路的所述一部分產(chǎn)生的模擬信號(hào)傳輸?shù)剿龅诙雽?dǎo)體基板。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，

其中，所述第一半導(dǎo)體基板具有：

第一晶體管，其包含在所述模擬電路的所述一部分中，和

輸出端子，其連接到所述第一晶體管和所述基板連接部，且所述第二半導(dǎo)體基板具有：

輸入端子，其連接到所述基板連接部，和

擴(kuò)散層，其包含在所述模擬電路的所述其余部分中，并連接到所述輸入端子。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述擴(kuò)散層是第二晶體管的擴(kuò)散層，所述第二晶體管包含在所述模擬電路的所述其余部分中。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，

其中，所述第二晶體管是所述第一晶體管的電流源，且

所述第一晶體管構(gòu)成將所述第二半導(dǎo)體基板的所述第二晶體管用作負(fù)荷的源極跟隨器電路，所述第二半導(dǎo)體基板是不同于形成有所述第一晶體管的所述第一半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體基板。

5.如權(quán)利要求2-4中任一權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體集成電路，

其中，所述半導(dǎo)體集成電路具有：

多個(gè)像素電路，其具有光電轉(zhuǎn)換元件，并輸出像素信號(hào)，

輸出信號(hào)線，其連接到所述多個(gè)像素電路，并傳輸所述像素信號(hào)，

電流源，其連接到所述輸出信號(hào)線，和

轉(zhuǎn)換部，其連接到所述輸出信號(hào)線，并將所述輸出信號(hào)線傳輸?shù)乃鱿袼匦盘?hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字值，

所述多個(gè)像素電路形成為所述第一半導(dǎo)體基板中的所述模擬電路的所述一部分，

所述電流源形成為所述第二半導(dǎo)體基板中的所述模擬電路的所述其余部分，

所述轉(zhuǎn)換部形成為所述第二半導(dǎo)體基板中的所述數(shù)字電路，且

所述輸出信號(hào)線包括所述基板連接部，所述輸出信號(hào)線從所述第一半導(dǎo)體基板形成到所述第二半導(dǎo)體基板。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路，

其中，形成在所述第一半導(dǎo)體基板中的各個(gè)所述像素電路具有第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極節(jié)點(diǎn)連接到所述輸出信號(hào)線，所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管用作所述第一晶體管，

形成在所述第二半導(dǎo)體基板中的所述電流源具有第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極節(jié)點(diǎn)連接到所述輸出信號(hào)線，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管用作所述第二晶體管，且

所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成將所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管用作負(fù)荷的源極跟隨器電路。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體集成電路，其中，所述第二半導(dǎo)體基板具有電源部，所述電源部向形成在所述第一半導(dǎo)體基板中的所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極供應(yīng)電源電壓。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路，

其中，所述第二半導(dǎo)體基板與所述第一半導(dǎo)體基板重疊，使得所述第二晶體管不與所述第一半導(dǎo)體基板中的所述多個(gè)像素電路重疊，且使得所述第二晶體管發(fā)出的光難以進(jìn)入所述多個(gè)像素電路。

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體集成電路，

其中，所述第一半導(dǎo)體基板與所述第二半導(dǎo)體基板重疊，且

在形成在所述第二半導(dǎo)體基板中的所述第二晶體管與形成在所述第一半導(dǎo)體基板中的所述多個(gè)像素電路之間設(shè)置遮光部，使得所述第二晶體管發(fā)出的光難以進(jìn)入所述多個(gè)像素電路。