[發明專利]半導體元件燒結的工藝方法

無效

• 申請號: 201110247639.6
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102306621A
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 陸利新;孫逸;仝韶華;李桂琴
• 申請（專利權）人: 上海煦康電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/268;F27B9/30;F27D9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，包括：

將半導體元件放置在傳輸絲網上；

開啟設置在燒結爐內的紅外輻射管；

啟動所述傳輸絲網，使所述半導體元件通過所述傳輸絲網傳輸到所述燒結爐內，所述燒結爐內的紅外輻射管輻射所述半導體元件，使所述半導體元件依次完成烘干、預燒結以及燒結工藝。

2.如權利要求1所述的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，所述半導體元件完成烘干、預燒結以及燒結工藝后，所述半導體元件經過漸冷卻單元完成逐漸冷卻工藝。

3.如權利要求2所述的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，所述漸冷卻單元包括第一漸冷卻元件以及第二漸冷卻元件，所述第一漸冷卻元件和所述第二漸冷卻元件分別設置在所述傳輸絲網的兩側，并且所述第一漸冷卻元件與所述傳輸絲網之間的距離大于所述第二漸冷卻元件與所述傳輸絲網之間的距離。

4.如權利要求3所述的燒結裝備，其特征在于，所述第一漸冷卻元件和所述第二漸冷卻元件均為多個高導熱率鑄鐵塊，通過所述高導熱率鑄鐵塊吸收所述半導體元件的輻射熱。

5.如權利要求1所述的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，所述傳輸絲網貫穿所述燒結爐爐體，所述傳輸絲網至少一側設置多個支架，所述支架內設置紅外輻射管，所述多個支架串接設置。

6.如權利要求1所述的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，在所述傳輸網的兩側設置所述紅外輻射管。

7.如權利要求1所述的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，所述紅外輻射管包括中波紅外輻射管、短波紅外輻射管以及中波紅外輻射管和短波紅外輻射管的組合。

8.如權利要求1至7中任一項的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，所述紅外輻射管通過多個支撐件固定在所述支架內。

9.如權利要求1至7中任一項的半導體元件燒結的工藝方法，其特征在于，在燒結爐爐體的腔內壁周邊設置高反射率薄板。