[發(fā)明專利]AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素單元以及顯示裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110247334.5
• 申請(qǐng)日: 2011-08-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102708787A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚文;祁小敬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;趙愛(ài)軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示驅(qū)動(dòng)技術(shù)，尤其涉及一種AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素單元以及顯示裝置。

背景技術(shù)

AMOLED能夠發(fā)光是由于驅(qū)動(dòng)TFT在飽和狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生的電流所驅(qū)動(dòng)，即電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光。圖1為已有基本電流型AMOLED(有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板)像素結(jié)構(gòu)原理圖。如圖1所示，已有基本電流型AMOLED像素結(jié)構(gòu)包括OLED、T1、T2、T3、T4和存儲(chǔ)電容Cst，其中T1為驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，T2、T3、T4為控制薄膜晶體管，T2的柵極和T3的柵極與輸出控制信號(hào)CN1的控制線連接，T4的柵極與輸出控制信號(hào)CN2的控制線連接。該已有電流型AMOLED像素結(jié)構(gòu)直接由外部加入驅(qū)動(dòng)電流Idata，以決定存儲(chǔ)電容Cst上的電壓，從而產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流Ioled。在基本電流型AMOLED像素結(jié)構(gòu)中，Ioled等于Idata，而由于Ioled必須在OLED的工作電流范圍內(nèi)，為較小電流，因此Idata也較小，存儲(chǔ)電容Cst為大電容，充電速度較慢，特別在低灰階下，充電時(shí)間很長(zhǎng)，不適用于高分辨率、高刷新頻率的AMOLED顯示。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路和方法、像素單元以及顯示裝置，可以使得充電電流Idata和流過(guò)OLED的電路Ioled之間具有較大的縮放比例，保證Ioled在OLED工作電流范圍內(nèi)，而Idata可以為較大電流，從而加快了對(duì)存儲(chǔ)電容Cst的充電速度。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路，用于驅(qū)動(dòng)OLED，所述AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路包括：

開(kāi)關(guān)單元，第一輸入端與提供充電電流的電流源連接，第二輸入端與OLED連接；

存儲(chǔ)電容，第一端與所述開(kāi)關(guān)單元的輸出端連接，第二端連接到低電平；

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，柵極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接，源極連接到低電平；

以及分流單元，第一端接低電平；

所述開(kāi)關(guān)單元，用于在第一時(shí)間段導(dǎo)通第一輸入端到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和分流單元的第二端的通路，以利用所述電流源對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，斷開(kāi)第二輸入端到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述分流單元的第二端的通路；

所述開(kāi)關(guān)單元，還用于在第二時(shí)間段導(dǎo)通第二輸入端到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的通路，斷開(kāi)第二輸入端到所述分流單元的第二端的通路，以及斷開(kāi)第一輸入端到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和所述分流單元的第二端的通路。

實(shí)施時(shí)，所述分流單元為分流薄膜晶體管；

所述分流薄膜晶體管的一端為其漏極，所述分流薄膜晶體管的另一端為其源極，所述分流薄膜晶體管的柵極與所述存儲(chǔ)電容的第一端連接。

實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的閾值電壓和所述分流薄膜晶體管的閾值電壓相等。

實(shí)施時(shí)，所述開(kāi)關(guān)單元包括第三開(kāi)關(guān)元件、第四開(kāi)關(guān)元件、第五開(kāi)關(guān)元件和第六開(kāi)關(guān)元件，其中，

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極與所述分流薄膜晶體管的柵極通過(guò)所述第三開(kāi)關(guān)元件與所述電流源連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極通過(guò)所述第四開(kāi)關(guān)元件與所述電流源連接；

所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極通過(guò)所述第五開(kāi)關(guān)元件與OLED連接；

所述分流薄膜晶體管的漏極通過(guò)所述第六開(kāi)關(guān)元件與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極連接；

所述第三開(kāi)關(guān)元件，用于在第一時(shí)間段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極、所述分流薄膜晶體管的柵極與所述電流源的連接，并在第二時(shí)間段斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極、所述分流薄膜晶體管的柵極與所述電流源的連接；

所述第四開(kāi)關(guān)元件，用于在第一時(shí)間段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述電流源的連接，并在第二時(shí)間段斷開(kāi)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述電流源的連接；

所述第五開(kāi)關(guān)元件，用于在第二時(shí)間段導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極與所述OLED的連接；

所述第六開(kāi)關(guān)元件，用于在第一時(shí)間段導(dǎo)通所述分流薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接，并在第二時(shí)間段斷開(kāi)所述分流薄膜晶體管的漏極與所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極的連接。

實(shí)施時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管、所述分流薄膜晶體管、所述第三開(kāi)關(guān)元件、所述第四開(kāi)關(guān)元件、所述第五開(kāi)關(guān)元件和所述第六開(kāi)關(guān)元件為n型TFT。

本發(fā)明還提供了一種AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)方法，其基于上述的AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)電路，所述AMOLED像素單元驅(qū)動(dòng)方法包括以下步驟：