[發明專利]一種具有單原子層臺階的六角氮化硼基底及其制備方法與應用有效
| 申請號： | 201110247262.4 | 申請日： | 2011-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN102336588A | 公開（公告）日： | 2012-02-01 |
| 發明（設計）人： | 丁古巧;唐述杰;謝曉明;江綿恒 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | C04B41/53 | 分類號： | C04B41/53;C01B31/04;B82Y40/00;C30B33/02;C23C16/34;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 許亦琳;余明偉 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 原子 臺階 六角 氮化 基底 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種具有單原子層臺階的六角氮化硼基底，其特征在于，所述六角氮化硼基底的解理面上具有單原子層臺階，所述單原子層臺階的單個臺階高度為一個氮化硼原子層的厚度。
2.如權利要求1所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底，其特征在于，所述單原子層臺階之間的間距為50nm～20μm。
3.如權利要求1所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底，其特征在于，所述單原子層臺階之間的間距為500nm～25μm。
4.如權利要求1所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底，其特征在于，所述單原子層臺階的長度為100nm～100μm。
5.如權利要求1-4任一所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底，其特征在于，所述的六角氮化硼基底選自塊體六角氮化硼單晶、用機械剝離法獲得的單晶六角氮化硼薄片以及用化學氣相沉積法制備的六角氮化硼基底。
6.如權利要求1-5任一所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底的制備方法，包括如下步驟：將六角氮化硼基底的表面解理得到新鮮的原子表面；然后將其置于氫氣與氬氣的混合氣體中進行退火處理，得到具有單原子層臺階的六角氮化硼基底。
7.如權利要求6所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底的制備方法，其特征在于，所述氫氣與氬氣的混合氣體中，氫氣與氬氣的體積比為1∶1～1∶10。
8.如權利要求6所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底的制備方法，其特征在于，所述的退火處理的退火溫度為1000℃～1200℃，退火時間為10min～300min。
9.如權利要求1-5任一所述的具有單原子層臺階的六角氮化硼基底在制備石墨烯納米帶以及制備基于石墨烯納米帶的電子器件中的應用。
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