[發(fā)明專利]用于MRI超導(dǎo)磁體低溫容器的失超氣體泄放系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110247203.7 | 申請日: | 2011-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN102313130A | 公開(公告)日: | 2012-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李蘭凱;王秋良;趙保志 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院電工研究所 |
| 主分類號: | F17C7/02 | 分類號: | F17C7/02 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 11251 | 代理人: | 關(guān)玲 |
| 地址: | 100190*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 mri 超導(dǎo) 磁體 低溫 容器 氣體 系統(tǒng) | ||
1.一種用于MRI超導(dǎo)磁體低溫容器的失超氣體泄放系統(tǒng),其特征在于,所述的失超氣體泄放系統(tǒng)由主動觸發(fā)氣體泄放通路和被動觸發(fā)氣體泄放通路并聯(lián)組成;所述的主動觸發(fā)氣體泄放通路由失超探測器(1)、電控安全閥(3)、磁體端失超排氣主管路(5)、安全閥側(cè)排氣支路(6)和環(huán)境端失超排氣主管路(8)組成,所述的被動觸發(fā)氣體泄放通路由爆破膜(4)、磁體端失超排氣主管路(5)、爆破膜側(cè)排氣支路(7)和環(huán)境端失超排氣主管路(8)構(gòu)成;所述的主動觸發(fā)氣體泄放通路中,失超探測器(1)的測量引出線與超導(dǎo)磁體(2)的電壓抽頭連接,組成橋式電壓檢測回路;失超探測器(1)的輸出接口與電控安全閥(3)的控制輸入連接;磁體端失超排氣主管路(5)的低溫端與液氦容器(10)的殼體焊接在一起,磁體端失超排氣主管路(5)的室溫端通過三通與安全閥側(cè)排氣支路(6)連接;安全閥側(cè)排氣支路(6)的另一端通過三通與環(huán)境端失超排氣主管路(8)連接;所述的電控安全閥(3)安裝在安全閥側(cè)排氣支路(6)的管路中;所述的被動觸發(fā)氣體泄放通路中,爆破膜(4)安裝在爆破膜側(cè)排氣支路(7)的管路中,爆破膜側(cè)排氣支路(7)的一端通過三通與磁體端排氣主管路(5)連接,爆破膜側(cè)排氣支路(7)的另一端通過三通與環(huán)境端失超排氣主管路(8)連接;所述的主動觸發(fā)氣體泄放通路和被動觸發(fā)氣體泄放通路共用同一磁體端失超排氣主管路(5)和環(huán)境端失超排氣主管路(8)。
2.按照權(quán)利要求1所述的失超氣體泄放系統(tǒng),其特征在于,所述的主動觸發(fā)氣體泄放通路通過失超探測器(1)控制電控安全閥(3)的開啟,失超探測器(1)檢測出超導(dǎo)磁體(2)的失超,然后主動觸發(fā)電控安全閥(3)開啟,使液氦容器(10)內(nèi)的揮發(fā)氣體(12)沿著磁體端失超排氣主管路(5)、安全閥側(cè)排氣支路(6)和環(huán)境端失超排氣主管路(8)組成的泄放通路排出;液氦容器(10)內(nèi)的液氦(11)與高溫的超導(dǎo)磁體(2)直接接觸,使液氦(11)在短時間內(nèi)不斷沸騰,氦氣不斷上升聚集在氣相空間,液氦容器(10)內(nèi)的壓力持續(xù)升高,當(dāng)壓力升高到爆破膜(4)的破裂壓力時,爆破膜側(cè)排氣支路(7)所在的被動觸發(fā)氣體泄放通路導(dǎo)通,一部分氦氣(12)沿著該管路通道流出。
3.按照權(quán)利要求1所述的失超氣體泄放系統(tǒng),其特征在于,所述的爆破膜(4)的動作壓力要高于電控安全閥(3)開啟時液氦容器(10)內(nèi)的壓力,為0.25~0.3MPa。
4.按照權(quán)利要求1所述的失超氣體泄放系統(tǒng),其特征在于,所述的泄放系統(tǒng)位于液氦容器(10)的上方,磁體端失超排氣主管路(5)與液氦容器(10)的殼體焊接在一起,穿過真空夾層和真空容器(9)后分別與安全閥側(cè)排氣支路(6)和爆破膜側(cè)排氣支路(7)相連;環(huán)境端失超排氣主管路(8)的另一端直接通大氣;磁體端失超排氣主管路(5)和失超檢測器(1)的測量引出線的一部分處于低溫環(huán)境中,另一部分處于室溫環(huán)境中;失超探測器(1)、電控安全閥(3)、爆破膜(4)、安全閥側(cè)排氣支路(6)、爆破膜側(cè)排氣支路(7)和環(huán)境端失超排氣主管路(8)位于室溫環(huán)境中。
5.按照權(quán)利要求1所述的失超氣體泄放系統(tǒng),其特征在于所述的磁體端失超排氣主管路(5)、安全閥側(cè)排氣支路(6)、爆破膜側(cè)排氣支路(7)和環(huán)境端失超排氣主管路(8)均由不銹鋼管焊接而成;所述的磁體端失超排氣主管路(5)位于真空容器(9)以外部分的外表面包有鋁箔;所述的安全閥側(cè)排氣支路(6)和所述的爆破膜側(cè)排氣支路(7)外表面包有鋁箔。
6.按照權(quán)利要求1所述的失超氣體泄放系統(tǒng),其特征在于所述的環(huán)境端失超排氣主管路(8)的管徑稍大于磁體端失超排氣主管路(5)的管徑。
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