[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110247186.7
• 申請(qǐng)日: 2011-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN102270714A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱廣敏;郝茂盛;張楠;潘堯波;齊勝利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海藍(lán)光科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，包括：

提供外延生長(zhǎng)所需的絕緣襯底；所述絕緣襯底定義有圖形單元，所述圖形單元具有第一邊界以及與所述第一邊界相對(duì)的第二邊界，相鄰圖形單元之間具有走道；

在具有圖形單元的所述絕緣襯底上形成發(fā)光外延結(jié)構(gòu)；所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)包括n型氮化物半導(dǎo)體層、位于所述n型氮化物半導(dǎo)體層上的有源層、以及位于所述有源層上的p型氮化物半導(dǎo)體層；

去除所述相鄰圖形單元之間走道處形成的外延沉積物；

在所述圖形單元的第一邊界處，去除所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)中的p型氮化物半導(dǎo)體層、有源層，直至露出n型氮化物半導(dǎo)體層，形成n型臺(tái)階；

在所述走道、所述圖形單元第一邊界處所述n型臺(tái)階上的部分的n型氮化物半導(dǎo)體層之上、所述圖形單元第二邊界處的側(cè)壁、以及所述圖形單元第二邊界處的部分的p型氮化物半導(dǎo)體層之上形成絕緣層；

在所述圖形單元第一邊界處所述n型臺(tái)階上的部分的n型氮化物半導(dǎo)體層、以及所述圖形單元第二邊界處的p型氮化物半導(dǎo)體層之上形成透明電極層；

在所述透明電極層上形成對(duì)應(yīng)所述圖形單元第一邊界的N電極、對(duì)應(yīng)所述圖形單元第二邊界的P電極、以及連接所述N電極和所述P電極的電極橋接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述絕緣襯底的材料選自藍(lán)寶石。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述圖形單元包括平行四邊形、菱形、矩形或正方形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)是采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積工藝形成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光外延結(jié)構(gòu)中的氮化物半導(dǎo)體層為氮化鎵層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，去除所述相鄰圖形單元之間走道處形成的外延沉積物采用的是濕法刻蝕、感應(yīng)耦合等離子刻蝕或反應(yīng)離子刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的厚度為800nm至2500nm，所述絕緣層的材料為SiO₂或Al₂O₃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，在所述圖形單元第二邊界處的側(cè)壁形成的所述絕緣層覆蓋了所述圖形單元第二邊界處的整個(gè)側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，在所述圖形單元第一邊界處形成的所述絕緣層的面積小于等于所述N電極的面積的一半，在所述圖形單元第二邊界處形成的所述絕緣層的面積小于等于所述P電極的面積的一半。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其特征在于，所述透明電極層的材料采用銦錫氧化物或鎳金。