[發明專利]表面聲波器件、表面聲波振蕩器以及電子設備有效
| 申請號: | 201110246685.4 | 申請日: | 2011-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN102386880A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 大脅卓彌;山中國人 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H03H9/02 | 分類號: | H03H9/02;H03H9/25 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 聲波 器件 振蕩器 以及 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及表面聲波器件、搭載有該表面聲波器件的表面聲波振蕩器以及電子設備,尤其涉及頻率溫度特性良好的表面聲波器件、搭載有該表面聲波器件的表面聲波振蕩器以及電子設備。
背景技術
在表面聲波(SAW:surface?acoustic?wave)器件(例如SAW諧振器)中,SAW的阻帶(stopband)、石英基板的切角以及IDT(interdigital?transducer:叉指換能器)的形成方式等對頻率溫度特性的變化影響很大。
例如,在專利文獻1中,公開了SAW的阻帶的上端模式和下端模式各自的進行激勵的結構以及阻帶的上端模式和下端模式各自的駐波分布等。
另外,在專利文獻2~5中記載了如下情況:SAW的阻帶上端模式的頻率溫度特性優于阻帶下端模式。并且,在專利文獻2、3中記載了如下情況:在利用了瑞利波的SAW裝置中,為了獲得良好的頻率溫度特性,對石英基板的切角進行調整,并且將電極的基準化膜厚(H/λ)增厚到0.1左右。
并且,在專利文獻4中記載了如下情況:在利用了瑞利波的SAW裝置中,對石英基板的切角進行調整,并且使電極的基準化膜厚(H/λ)加厚0.045以上。
此外,在專利文獻5中記載了如下情況:通過采用旋轉Y切X傳播的石英基板并利用阻帶上端的諧振,由此,與利用阻帶下端的諧振的情況相比,頻率溫度特性提高。
此外,在專利文獻6以及非專利文獻1中記載了如下情況:在使用ST切石英基板的SAW器件中,在構成IDT的電極指之間以及構成反射器的導體帶(strip)之間設有槽(Groove)。另外在非專利文獻1中,記載了頻率溫度特性隨槽的深度而變化的情況。
另外,在專利文獻7中,記載了在采用LST切石英基板的SAW器件中用于使表示頻率溫度特性的曲線成為三次曲線的結構,并且還記載了如下情況:在使用瑞利波的SAW器件中,未發現具有由三次曲線表示的溫度特性的切角的基板。
【專利文獻1】日本特開平11-214958號公報
【專利文獻2】日本特開2006-148622號公報
【專利文獻3】日本特開2007-208871號公報
【專利文獻4】日本特開2007-267033號公報
【專利文獻5】日本特開2002-100959號公報
【專利文獻6】日本特開昭57-5418號公報
【專利文獻7】日本特許第3851336號公報
【非專利文獻1】グル一プ形SAW共振器の製造條件と特性(電子通信學會技術研究報告MW82-59(1982))
如上所述,用于改善頻率溫度特性的要素有很多,尤其在利用了瑞利波的SAW器件中,認為增加構成IDT的電極的膜厚是改善頻率溫度特性的要因之一。但是,本申請的發明人在實驗中發現,當增加了電極的膜厚時,老化特性及耐溫度沖擊特性等耐環境特性發生劣化。另外,在以改善頻率溫度特性為主要目的的情況下,如前所述必需增加電極膜厚,與此相伴,無法避免老化特性及耐溫度沖擊特性等的劣化。這對于Q值也是適用的,因此很難在不增加電極膜厚的情況下實現高Q化。
發明內容
因此,在本申請發明中,提供表面聲波器件、表面聲波振蕩器以及電子設備時的課題在于實現良好的頻率溫度特性。
本發明正是為了解決上述課題中的至少一部分而完成的,可作為以下方式或應用例來實現。
[應用例1]一種表面聲波器件,其特征在于,具有IDT,該IDT被設置在以下三種石英基板中的任意一者的主面上,激勵出阻帶上端模式的表面聲波,所述三種石英基板是:第1石英基板,其歐拉角為第2石英基板,其歐拉角為以及第3石英基板,其歐拉角
如果是具有這種特征的表面聲波器件,則能夠得到良好的頻率溫度特性。
[應用例2]根據應用例1所述的表面聲波器件,其特征在于,該表面聲波器件具有使位于構成所述IDT的電極指之間的基板凹陷而形成的電極指間槽。
通過形成電極指間槽,能夠抑制電極膜厚的厚膜化。因此,能夠抑制因電極的結構材料引起的特性劣化。
[應用例3]根據應用例1或應用例2所述的表面聲波器件,其特征在于,在使用了所述第1至第3石英基板中的任意一者的情況下,將所述IDT的線占有率η設為:
0.49≤η≤0.70。
通過設為這種結構,由此,能夠使表示表面聲波器件的頻率溫度特性的曲線的多項式近似中的作為二次系數的二次溫度系數β成為β=±0.010ppm/℃2的范圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于精工愛普生株式會社,未經精工愛普生株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110246685.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





