[發(fā)明專利]一種三維TiO2晶體膜的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110245660.2
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102418089A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設計）人: 王德信;張菁;石建軍;郭穎;丁可
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: C23C16/505
• 分類號: C23C16/505;C23C16/40
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩

1.一種三維TiO₂晶體膜的制備方法，包括采用常壓低溫射頻介質(zhì)阻擋輝光放電方法，將放電氣體通入介質(zhì)阻擋放電等離子體反應器中，通射頻交流電使所述放電氣體放電產(chǎn)生等離子體射流，將前驅(qū)體和載氣送入等離子體區(qū)進行反應并沉積在基底上，得到三維TiO₂晶體膜，其特征在于，所述的沉積為內(nèi)輝光沉積，所述的載氣為氬氣或氦氣，載氣的流量為1-100sccm，所述的前驅(qū)體的流量為0.01-1sccm。

2.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所得的三維TiO₂晶體膜在室溫下用325?nm波長的激光激發(fā)具有肉眼可辨的可見熒光。

3.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的前驅(qū)體為四氯化鈦或四氟化鈦。

4.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的放電氣體為氦氣、氬氣或氧氣，流量分別為0.1-5?SLM、0.1-5?SLM和5-500sccm。

5.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的介質(zhì)阻擋放電等離子體反應器為電容耦合同軸等離子體反應器、圓柱形等離子體反應器或平行板等離子體反應器。

6.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的基底的材料為玻璃、石英、氧化鋁陶瓷、硅片、聚酯薄膜、不銹鋼、聚四氟乙烯、聚酰亞胺、聚碳、聚苯胺等薄膜或無紡布。

7.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的介質(zhì)阻擋放電等離子體反應器的阻擋介質(zhì)為石英、氧化鋁陶瓷、聚四氟乙烯、玻璃或云母。

8.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的基底位于電極之間。

9.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的介質(zhì)阻擋放電等離子體反應器的放電間隙為1-10mm。

10.如權利要求1所述的三維TiO₂晶體膜的制備方法，其特征在于，所述的射頻交流電的頻率為300KHz-30GHz，功率為20-500W。