[發明專利]一種制備鈮酸鋰表面圖形的方法無效
| 申請號： | 201110245639.2 | 申請日： | 2011-08-25 |
| 公開（公告）號： | CN102304767A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 鄭婉華;齊愛誼;王海玲;渠紅偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | C30B33/12 | 分類號： | C30B33/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 鈮酸鋰 表面 圖形 方法 | ||
1.一種制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，該方法包括：
在鈮酸鋰襯底表面制作掩膜圖形；
采用氟基等離子對鈮酸鋰襯底進行干法刻蝕，以刻蝕鈮酸鋰；
采用氧等離子對鈮酸鋰襯底進行刻蝕，以刻蝕在鈮酸鋰表面形成的氟化鋰；
重復上述采用氟基等離子及氧等離子的刻蝕步驟，直至完成鈮酸鋰表面圖形的制備。
2.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述在鈮酸鋰襯底表面制作掩膜圖形，采用微納加工方法進行。
3.根據權利要求2所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述微納加工方法包括：光刻、電子束曝光、蒸發、濺射、聚焦離子束刻蝕或等離子刻蝕。
4.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述鈮酸鋰襯底采用鈮酸鋰晶體制作而成。
5.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述掩膜圖形由在鈮酸鋰襯底表面制作的表面掩膜的圖形轉移而來。
6.根據權利要求5所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述表面掩膜采用金屬或非金屬材料制作而成。
7.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述氟基等離子是由含氟氣體輝光放電產生的高密度等離子體。
8.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述氧等離子是由氧氣輝光放電產生的高密度等離子體。
9.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述重復上述采用氟基等離子及氧等離子的刻蝕步驟，是重復采用氟基等離子和氧等離子兩種等離子體對鈮酸鋰襯底進行反復、多次刻蝕。
10.根據權利要求1所述的制備鈮酸鋰表面圖形的方法，其特征在于，所述制備的鈮酸鋰表面圖形，其深度是多次氟基等離子刻蝕所得深度之和。
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