[發明專利]一種顯示器及其制備方法

無效

• 申請號: 201110245565.2
• 申請日: 2011-08-25
• 公開（公告）號: CN102650777A
• 公開（公告）日: 2012-08-29
• 發明（設計）人: 彭寬軍;呂敬;孫陽
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王朋飛;張慶敏

技術領域

本發明涉及顯示器領域，具體涉及一種顯示器的制備方法、以及采用該方法制備的顯示器。

背景技術

在平板顯示技術中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT?LCD)具有低功耗、制造成本相對較低、無輻射的特點，因此在平板顯示器市場占據了主導地位。由于各廠商之間的激烈競爭和TFT?LCD制造技術的不斷進步，顯示質量更加優良，價格更加便宜的液晶顯示器不斷推向市場。因此，采用更加先進的制造技術，簡化生產工藝，降低生產成本，同時提高性能成為TFT?LCD廠商在劇烈競爭中得以生存的保證。

TFT?LCD由彩膜基板和陣列基板組成，中間充滿了液晶材料。陣列基板上具有像素結構，彩膜基板上具有公共電極(COM電極)，通過對其施加公共電壓，使其與陣列基板上的像素電極之間形成電場，并使液晶分子在電場作用下發生扭轉，從而控制光的透過量，最終顯示圖像。

陣列基板上通常包括透明基板襯底、柵線和柵電極、公共電極、柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、源漏電極和數據線、鈍化層、像素電極等部分，此外，陣列基板上還含有公共電極線，又稱為存儲電容底電極。

陣列基板上的公共電極線、公共電極和像素電極，以及彩膜基板上的公共電極目前采用的都是透明導電薄膜ITO，ITO薄膜是一種摻雜性半導體材料，目前廣泛應用于液晶顯示領域，但成本相對昂貴。其制備過程是通過金屬濺射沉積而得，金屬濺射工藝較為復雜，條件要求也較為苛刻。

發明內容

為克服目前顯示器制造成本較高的缺陷，尋找低成本的替代品，本發明的目的是提供一種顯示器的制備方法。

本發明所提供的制備方法中，所述顯示器的像素電極、公共電極或公共電極線中的一個或多個的形成方法為：旋涂PEDOT/PSS(聚(3，4-乙烯基二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽))水溶液形成PEDOT/PSS薄膜，再進行真空干燥。

PEDOT/PSS是一種高分子聚合物的水溶液，導電率高，根據不同的配方，可以得到導電率不同的水溶液，導電率可以高達900S/cm，其分子結構如圖1所示。

上述PEDOT/PSS薄膜中，PEDOT與PSS的重量比為1∶2.0～3.0，優選1∶2.5。

所述PEDOT/PSS水溶液的固含量為1.0～3.0％，優選為1.2～1.4％。

所述真空干燥溫度為60～180℃。

其中，當所述顯示器為薄膜晶體管液晶顯示器時，所述公共電極可以是形成在彩膜基板上，也可以是形成在陣列基板上。

當所述公共電極和/或所述像素電極形成在陣列基板上時，在所述公共電極和/或所述像素電極形成之前制備柵線和柵電極。

在陣列基板上，當像素電極或公共電極是第一層電極結構時，由于PEDOT/PSS薄膜采用旋涂工藝成膜，成膜工藝簡單，不容易有段差，成膜性好，導電效果好，能夠滿足液晶顯示器的要求。而在公共電極或者像素電極形成之前先形成柵線和柵電極，可以在制作公共電極或者像素電極時，避免柵線和柵電極刻蝕過程中的影響，從而提高良品率。

優選地，所述像素電極和所述公共電極形成在同一陣列基板上，所述陣列基板的制備包括以下步驟：

(1)在基板上沉積柵金屬層，通過光刻、刻蝕得到柵線和柵電極；

(2)在完成步驟(1)的基板上旋涂PEDOT/PSS水溶液形成PEDOT/PSS薄膜，真空干燥，再通過光刻、刻蝕得到公共電極；

(3)在完成步驟(2)的基板上分別形成柵絕緣層、半導體層、歐姆接觸層、數據線、源漏電極及鈍化層；

(4)在完成步驟(3)的基板上旋涂PEDOT/PSS水溶液形成PEDOT/PSS薄膜，真空干燥，再通過光刻、刻蝕形成像素電極。

進一步地，本發明還提供了一種顯示器，所述顯示器的像素電極、公共電極或公共電極線中的一個或多個為PEDOT/PSS薄膜。

所述顯示器可以是薄膜晶體管液晶顯示器，也可以是電子紙、OLED等多種顯示器件。

當所述顯示器為薄膜晶體管液晶顯示器時，所述公共電極可以形成在所述顯示器的彩膜基板上；所述公共電極和/或像素電極還可以形成在所述顯示器的陣列基板上。

所述陣列基板上公共電極的PEDOT/PSS薄膜厚度為200～700nm。

本發明還提供了PEDOT/PSS薄膜在制備顯示器的像素電極、公共電極或公共電極線中的應用。

所述PEDOT/PSS薄膜中PEDOT與PSS的重量比為1∶2.0～3.0，優選1∶2.5。