[發(fā)明專(zhuān)利]基于基片制造卡的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110245456.0
• 申請(qǐng)日: 2011-08-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102385715A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·伯廷;格拉爾德·加蘭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 歐貝特科技公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06K19/077
• 分類(lèi)號(hào): G06K19/077
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種基于具有預(yù)定厚度的基片(101)來(lái)制造卡(102)的方法，所述方法包括以下步驟：

在基片內(nèi)定義卡的邊界(E15)，

所述方法的特征在于還包括以下步驟：在卡邊界的一部分上形成斜切(110)(E40，E45)，在邊界定義步驟和斜切形成步驟之后，卡的物理尺寸符合Micro?SD卡標(biāo)準(zhǔn)指定V3.00定義的參數(shù)A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：

·i＝1，6...8；

·j＝1，4，10，11，x，y，[x，y]對(duì)等于[6，9]或等于[14，15]；以及

·m＝1...6，17...19；

當(dāng)x＝6，y＝9時(shí)，物理尺寸還符合所述標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)A9，

所述方法的特征還在于，邊界定義步驟和斜切形成步驟是在從所述基片中提取卡之前執(zhí)行的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，邊界定義步驟包括以下子步驟中的至少一個(gè)：

-預(yù)切割子步驟(E20)，制作用于將卡邊界的一部分附著至基片的至少一個(gè)減弱附著件(104)，

-沖孔子步驟(E30)，在卡邊界的所謂自由部分與基片之間創(chuàng)建至少一個(gè)槽區(qū)域(106)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述預(yù)定厚度嚴(yán)格小于0.9mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，基片符合根據(jù)ISO?7816標(biāo)準(zhǔn)的ID-1或ID-00卡格式。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述斜切形成步驟期間，通過(guò)銑削來(lái)制作斜切。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的方法，還包括以下步驟：在提取卡之前，將卡減薄，以形成夾持區(qū)域(116；222)，所述夾持區(qū)域開(kāi)始于從與斜切相對(duì)的卡邊緣起測(cè)量的預(yù)定距離處，所述夾持區(qū)域沿具有所述斜切的邊界的方向延伸，所述預(yù)定距離對(duì)應(yīng)于根據(jù)所述Micro?SD標(biāo)準(zhǔn)的距離B2。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，夾持區(qū)域是與所述斜切(110)的表面相對(duì)的卡表面上的凹槽(116)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，凹槽具有實(shí)質(zhì)上等于300μm的深度和實(shí)質(zhì)上等于2mm的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，減薄步驟對(duì)應(yīng)于：銑削步驟(E45)，對(duì)與所述斜切(210)的表面相對(duì)的卡表面進(jìn)行部分地銑削，使得卡(202)的物理尺寸符合Micro?SD卡標(biāo)準(zhǔn)定義的參數(shù)A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm，其中：

·i＝1，6...9；

·j＝1...4，6，9...11；以及

·m＝1...19。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，在提取卡之前還包括步驟：將模塊(120)置于卡中(E50，E60)，所述模塊包括符合Micro?SD卡標(biāo)準(zhǔn)的微電路和齊平接觸盤(pán)(112)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述模塊還包括符合ISO7816標(biāo)準(zhǔn)的齊平接觸盤(pán)(114)。