[發(fā)明專利]鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110243845.X
• 申請(qǐng)日: 2011-08-24
• 公開（公告）號(hào): CN102956478A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周正良;李昊;蘇波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，所述鍺硅層形成于外延層上，外延層形成于硅襯底上，所述鍺硅層上淀積介質(zhì)膜，刻蝕介質(zhì)膜形成發(fā)射極窗口，淀積發(fā)射極多晶硅，其特征在于，所述補(bǔ)償方法步驟如下：

第1步，進(jìn)行第一次離子注入；

第2步，鍍一層負(fù)光膠；

第3步，進(jìn)行8～12毫米的晶片邊緣曝光，顯影去除晶片中間的光阻；

第4步，進(jìn)行第二次離子注入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，在所述第二次離子注入后，進(jìn)行干刻發(fā)射極多晶硅，形成側(cè)墻；然后退火推進(jìn)注入雜質(zhì)；最后形成金屬硅化物、接觸孔和金屬連線完成發(fā)射極、基極和集電極的連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述硅襯底為N型重?fù)诫s，在重?fù)诫s的N型硅襯底上生長(zhǎng)低摻雜的N型外延層，所述N型外延層的厚度為1.0～5.0微米，摻雜濃度為10¹⁵～10¹⁷cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述鍺硅層生長(zhǎng)于N型外延層上，其分為硅緩沖層、鍺硅層、硅帽層三層，其中鍺硅層有高摻雜的硼，硅帽層有低摻雜的硼；所述硅緩沖層的厚度為50～300埃；所述鍺硅層的厚度為200～600埃，其中20～300埃摻硼，摻雜濃度在2×10¹⁹～6×10¹⁹cm^-3；所述硅帽層的厚度為100～500埃，硼摻雜濃度在10¹⁵～10¹⁷cm^-3，硅片各層邊緣厚度比中心厚度低15％～20％。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述介質(zhì)膜為氧化硅層，其厚度為500～1500埃，通過干刻和濕法刻蝕在氧化硅層形成窗口。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述發(fā)射極多晶硅的厚度為1500～3500埃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述發(fā)射極多晶硅為N型摻雜。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述第一次離子注入為N型離子，注入劑量為10¹⁵～10¹⁶cm^-2，能量為50～100keV。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述第二次離子注入為N型離子，注入劑量為10¹⁵～10¹⁶cm^-2，能量為50～100keV。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鍺硅邊緣變薄引起的直流電流放大倍數(shù)增大的補(bǔ)償方法，其特征在于，所述退火工藝的溫度為900～1100℃，時(shí)間為10～100秒。