[發明專利]聚合物阻隔移除拋光漿料

無效

• 申請號: 201110243495.7
• 申請日: 2011-06-24
• 公開（公告）號: CN102367366A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 卞錦儒
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;B24B29/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒

1.一種用于化學機械拋光含有銅互連的半導體基材的水性漿料，以重量百分數計，所述漿料包括0-25的氧化劑，0.1-50的研磨顆粒，0.001-10用于減少銅互連靜態蝕刻的抑制劑，0.001-5的具有如下結構式的聚(甲基乙烯基醚)：

且聚(甲基乙烯基醚)是水溶性的，n值至少為5，0.005-1的氨基丁酸，0.01-5的含磷化合物，0-10的銅絡合劑以及余量的水。

2.權利要求1所述水性漿料，其中該漿料包括0.1-5重量％的至少一種選自甲脒，甲脒衍生物，甲脒鹽，胍，胍衍生物和胍鹽及其混合物的物質。

3.權利要求1所述水性漿料，其中該漿料包括1-40重量％的膠體二氧化硅研磨顆粒。

4.一種用于化學機械拋光帶有銅互連的半導體基材的水性漿料，以重量百分數計，該漿料包括0-20的氧化劑，0.5-50的研磨顆粒，0.005-10用于減少銅互連靜態蝕刻的抑制劑，0.005-5的具有如下結構式的聚(甲基乙烯基醚)：

且聚(甲基乙烯基醚)是水溶性的，n值至少為10，0.01-0.75的氨基丁酸，0.02-3的含磷化合物，0-10的銅絡合劑以及余量的水，且該水性漿料的pH值至少為8。

5.權利要求4所述水性漿料，其中該漿料包括0.01-3重量％的至少一種選自甲脒，甲脒衍生物，甲脒鹽，胍，胍衍生物和胍鹽及其混合物的物質。

6.權利要求4所述水性漿料，其中該漿料含有1-40重量％的膠體二氧化硅研磨顆粒。

7.權利要求4所述水性漿料，其中該漿料含有0.0001-1重量％的氯化銨。

8.權利要求4所述水性漿料，其中該漿料含有0.01-5重量％的銅絡合劑。

9.一種拋光半導體基材的方法，該半導體基材具有銅層，TEOS層，低k介電層，所述方法包括如下步驟：

將拋光漿料加到拋光板上，以重量百分數計，該拋光漿料含有組分包括0-25的氧化劑，0.1-50的研磨顆粒，0.001-10用于減少銅互連靜態蝕刻的抑制劑，0.001-5的具有如下結構式的聚(甲基乙烯基醚)：

且聚(甲基乙烯基醚)是水溶性的，n值至少為5，0.005-1的氨基丁酸，0.01-5的含磷化合物，0-10的銅絡合劑以及余量的水。

將半導體基材壓向拋光板上；

并且在拋光板和半導體基材間建立相對滑動，以在與摻碳氧化物層至少為1∶1的除去速率之比的選擇性條件下除去阻隔層，所述除去速率以埃每分鐘計算。

10.權利要求9所述方法，其中該工藝移除氮化鉭層的速率高于碳摻雜低k介電層的移除速率，測定單位為