[發明專利]氮化物系化合物半導體以及氮化物系化合物半導體元件無效
| 申請號： | 201110243489.1 | 申請日： | 2011-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN102386216A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 巖見正之 | 申請（專利權）人： | 先進動力設備技術研究協會 |
| 主分類號： | H01L29/20 | 分類號： | H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 李中奎;黃志華 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 化合物 半導體 以及 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化物系化合物半導體，具備：
從Al、Ga、In和B中選擇的1種以上的III族原子，
氮原子，以及
與所述1種以上的III族晶格間隙原子結合，形成復合物的金屬原子。
2.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體，其中，所述金屬原子為Fe或Ni。
3.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體，其中，所述金屬原子的摻雜濃度與所述III族原子的晶格間隙原子的濃度相等。
4.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體，其中，所述金屬原子的摻雜濃度為5×1016cm-3以上5×1018cm-3以下。
5.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體，其中，所述金屬原子的摻雜濃度為1×1017cm-3以上1×1018cm-3以下。
6.如權利要求1所述的氮化物系化合物半導體，其特征在于，所述III族原子為Ga。
7.一種氮化物系化合物半導體元件，具有：
由與權利要求1所述的氮化物系化合物半導體不同的材料形成的基板，以及
在所述基板上外延生長的由所述權利要求1所述的氮化物系化合物半導體形成的半導體層。
8.如權利要求7所述的氮化物系化合物半導體元件，其特征在于，所述基板由Si、Al2O3、SiC和ZnO中的任一個形成。
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