[發(fā)明專利]記錄太陽能晶片制程履歷的方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110243464.1 | 申請日: | 2011-08-24 |
| 公開(公告)號: | CN102655186A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 煙浩;謝瑞海;簡榮吾 | 申請(專利權(quán))人: | 英穩(wěn)達(dá)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人: | 楊波 |
| 地址: | 中國臺灣桃園*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 記錄 太陽能 晶片 履歷 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種記錄太陽能晶片制程履歷的方法,使用于太陽能晶片的串列式連續(xù)生產(chǎn)線,其特征在于,所述方法包括:
在所述串列式連續(xù)生產(chǎn)線預(yù)設(shè)多個(gè)制程站;
在所述這些制程站中或所述這些制程站進(jìn)出端預(yù)設(shè)至少一個(gè)計(jì)數(shù)器;
計(jì)算每一片太陽能晶片通過各所述這些計(jì)數(shù)器的時(shí)間,并依據(jù)所述這些計(jì)數(shù)器的晶片計(jì)數(shù),建立每一片太陽能晶片的晶片序號,以得到所述這些晶片序號及時(shí)間的關(guān)系;
記錄所述這些制程站的制程參數(shù)與時(shí)間的關(guān)系;以及
同步化所述這些制程站的制程參數(shù)及所述晶片序號所對應(yīng)的時(shí)間,以得到每一片太陽能晶片的制程履歷。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述計(jì)算每一片太陽能晶片通過各所述這些計(jì)數(shù)器的時(shí)間時(shí),是依照所述這些計(jì)數(shù)器的距離及所述串列式連續(xù)生產(chǎn)線的輸送速率推算。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:得到所述晶片序號與時(shí)間的關(guān)系時(shí),還包括以列表清單及/或關(guān)系圖的方式輸出。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:記錄所述這些制程站的制程參數(shù)與時(shí)間的關(guān)系時(shí),還包括選擇以文字、列表清單、關(guān)系圖及其任意組合的群組其中的一種方式表示。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:記錄所述這些制程站的制程參數(shù)與時(shí)間的關(guān)系時(shí),是每隔較長周期記錄一次,當(dāng)產(chǎn)生異常狀況時(shí),才在所述異常狀況產(chǎn)生的時(shí)間點(diǎn)增加記錄,或改為較短周期記錄一次,直到所述異常狀況排除。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于:所述異常狀況是指偵測到所述制程參數(shù)超出一定預(yù)設(shè)范圍,此時(shí),還包括記錄并標(biāo)記該異常狀況發(fā)生的時(shí)間區(qū)域及制程參數(shù)。
7.?如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于:在同步化所述這些制程站的制程參數(shù)及該晶片序號的時(shí)間之后,還包括以所述時(shí)間區(qū)域,追蹤并標(biāo)記制程參數(shù)的異常太陽能晶片。
8.?一種記錄太陽能晶片制程履歷的系統(tǒng),用于太陽能晶片的串列式連續(xù)生產(chǎn)線,其特征在于:所述串列式連續(xù)生產(chǎn)線具有多個(gè)制程站,所述系統(tǒng)包括晶片計(jì)數(shù)監(jiān)控模塊和參數(shù)監(jiān)控模塊,所述晶片計(jì)數(shù)監(jiān)控模塊包括多個(gè)計(jì)數(shù)器和輸出裝置,所述多個(gè)計(jì)數(shù)器一一設(shè)置于所述這些制程站中或所述這些制程站進(jìn)出端,以記錄通過的太陽能晶片計(jì)數(shù),藉此建立每一片太陽能晶片的晶片序號,所述輸出裝置計(jì)算所述太陽能晶片通過各所述這些計(jì)數(shù)器的時(shí)間,并輸出所述這些太陽能晶片的晶片序號與時(shí)間的關(guān)系,所述參數(shù)監(jiān)控模塊用以輸出所述這些制程站的制程參數(shù)與時(shí)間的關(guān)系,其中,通過同步化所述制程參數(shù),及所述這些晶片序號所對應(yīng)的時(shí)間,以得到每一片太陽能晶片的制程履歷。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其特征在于:所述輸出裝置輸出通過所述這些晶片序號與時(shí)間的關(guān)系時(shí),是以列表清單及/或關(guān)系圖的方式輸出。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其特征在于:各所述這些計(jì)數(shù)器還包括偵測器,通過接收所述太陽能晶片反射的信號的次數(shù),來判斷所述計(jì)數(shù)器是否累加計(jì)次。
11.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng),其特征在于:所述系統(tǒng)還包括處理器,以同步化所述制程參數(shù),及所述晶片序號所對應(yīng)的時(shí)間,并標(biāo)記制程參數(shù)異常的太陽能晶片。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英穩(wěn)達(dá)科技股份有限公司,未經(jīng)英穩(wěn)達(dá)科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110243464.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





