[發明專利]一種橫向擴散金屬氧化物功率MOS器件

無效

• 申請號: 201110243454.8
• 申請日: 2011-08-24
• 公開（公告）號: CN102263125A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 陳偉元
• 申請（專利權）人: 蘇州市職業大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種橫向擴散金屬氧化物功率MOS器件，包括：位于P型的襯底層(1)內的P型阱層(2)和N型輕摻雜層(3)，所述P型阱層(2)與N型輕摻雜層(3)在水平方向相鄰從而構成一PN結，一源極區(4)位于所述P型阱層(2)，一漏極區(5)位于所述襯底層(1)內，位于所述源極區(4)和N型輕摻雜層(3)之間區域的P型阱層(2)上方設有柵氧層(7)，此柵氧層(7)上方設有一柵極區(8)；其特征在于：所述N型輕摻雜層(3)由第一N型輕摻雜區(9)、第二N型輕摻雜區(10)和P型輕摻雜區(6)組成；所述第一N型輕摻雜區(9)的摻雜濃度高于所述P型輕摻雜區(6)的摻雜濃度，所述P型輕摻雜區(6)的摻雜濃度高于所述第二N型輕摻雜區(10)的摻雜濃度；

所述第一N型輕摻雜區(9)與第二N型輕摻雜區(10)的摻雜濃度比例范圍為：1.2∶1～1.3∶1；

所述第一N型輕摻雜區(9)位于所述第二N型輕摻雜區(10)上方；所述P型輕摻雜區(6)在水平方向上位于所述第一N型輕摻雜區(9)的中央區域且此P型輕摻雜區(6)在垂直方向上位于所述第一N型輕摻雜區(9)中央區域的中下部并與所述第二N型輕摻雜區(10)表面接觸。

2.根據權利要求1所述的功率MOS器件，其特征在于：所述第一N型輕摻雜區(9)與P型輕摻雜區(6)的摻雜濃度比例為：1.1∶1。

3.根據權利要求1所述的功率MOS器件，其特征在于：所述P型阱層(2)和N型輕摻雜層(3)的結深比例為2∶1。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的功率MOS器件，其特征在于：所述漏極區(5)位于所述N型輕摻雜層(3)內。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的功率MOS器件，其特征在于：所述N型輕摻雜層(3)位于所述漏極區(5)與所述P型阱層(2)之間。