[發明專利]雙導通半導體組件及其制作方法

無效

• 申請號: 201110243112.6
• 申請日: 2011-08-22
• 公開（公告）號: CN102956640A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 林偉捷
• 申請（專利權）人: 大中積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種雙導通半導體組件，其特征在于，包括：

一半導體基底，具有一第一導電類型，且該半導體基底具有一第一溝槽；

一第一基體摻雜區，具有一第二導電類型，該第一基體摻雜區設于該第一溝槽的一側的該半導體基底中；

一第二基體摻雜區，具有該第二導電類型，該第二基體摻雜區設于該第一溝槽的另一側的該半導體基底中；

一柵極絕緣層，覆蓋于該第一溝槽的表面，且該柵極絕緣層具有一第一部分、一第二部分與一第三部分，其中該第一部分鄰近該第一基體摻雜區，該第二部分鄰近該第二基體摻雜區，該第三部分位于該第一溝槽的一底部與一側壁的轉折處，且該第一部分的厚度與該第二部分的厚度小于該第三部分的厚度；

一第一柵極導電層，設于鄰近該第一基體摻雜區的該柵極絕緣層上，其中該第一部分位于該第一柵極導電層與該第一基體摻雜區之間；

一第二柵極導電層，設于鄰近該第二基體摻雜區的該柵極絕緣層上，且該第二柵極導電層與該第一柵極導電層電絕緣，其中該第二部分位于該第二柵極導電層與該第二基體摻雜區之間；

一第一源極摻雜區，具有該第一導電類型，且設于該第一基體摻雜區中；以及

一第二源極摻雜區，具有該第一導電類型，且設于該第二基體摻雜區中。

2.如權利要求1所述的雙導通半導體組件，其特征在于，還包括一第一接觸插塞與一第二接觸插塞，分別設于該第一基體摻雜區與該第二基體摻雜區上，且該第一接觸插塞與該第二接觸插塞部分重迭于該第一溝槽。

3.如權利要求2所述的雙導通半導體組件，其特征在于，還包括一絕緣層，設于該第一接觸插塞與該第一柵極導電層之間以及該第二接觸插塞與該第二柵極導電層之間。

4.如權利要求3所述的雙導通半導體組件，其特征在于，該絕緣層延伸至該第一柵極導電層與該第二柵極導電層之間，以將該第一柵極導電層與該第二柵極導電層電絕緣。

5.如權利要求2所述的雙導通半導體組件，其特征在于，還包括一第一介電層，設于該第一接觸插塞與該第二接觸插塞之間。

6.如權利要求2所述的雙導通半導體組件，其特征在于，還包括一第一源極金屬層以及一第二源極金屬層，設于該第一接觸插塞與該第二接觸插塞上，其中該第一源極金屬層通過該第一接觸插塞電連接該第一源極摻雜區，且該第二源極金屬層通過該第二接觸插塞電連接該第二源極摻雜區。

7.如權利要求6所述的雙導通半導體組件，其特征在于，還包括一第二介電層，設于該第一接觸插塞與該第二源極金屬層之間以及設于該第二接觸插塞與該第一源極金屬層之間。

8.一種雙導通半導體組件，其特征在于，包括：

一半導體基底，具有一第一導電類型，且該半導體基底具有一第一溝槽；

一第一基體摻雜區，具有一第二導電類型，該第一基體摻雜區設于該第一溝槽的一側的該半導體基底中；

一第二基體摻雜區，具有該第二導電類型，該第二基體摻雜區設于該第一溝槽的另一側的該半導體基底中；

一柵極絕緣層，覆蓋于該第一溝槽的表面；

一第一柵極導電層，設于鄰近該第一基體摻雜區的該柵極絕緣層上；

一第二柵極導電層，設于鄰近該第二基體摻雜區的該柵極絕緣層上，且該第二柵極導電層與該第一柵極導電層電絕緣；

一第一源極摻雜區，具有該第一導電類型，且設于該第一基體摻雜區中；

一第二源極摻雜區，具有該第一導電類型，且設于該第二基體摻雜區中；以及

一第一接觸插塞與一第二接觸插塞，分別設于該第一基體摻雜區與該第二基體摻雜區上，該第一接觸插塞電連接該第一源極摻雜區，且該第二接觸插塞電連接該第二源極摻雜區，其中該第一接觸插塞與該第二接觸插塞部分重迭于該第一溝槽，并與該第一柵極導電層以及該第二柵極導電層電絕緣。

9.如權利要求8所述的雙導通半導體組件，其特征在于，該柵極絕緣層具有一第一部分、一第二部分與一第三部分，其中該第一部分位于該第一柵極導電層與該第一基體摻雜區之間，該第二部分位于該第二柵極導電層與該第二基體摻雜區之間，該第三部分位于該第一溝槽的一底部與一側壁的轉折處，且該第一部分的厚度與該第二部分的厚度小于該第三部分的厚度。

10.如權利要求8所述的雙導通半導體組件，其特征在于，還包括一絕緣層，設于該第一接觸插塞與該第一柵極導電層之間以及該第二接觸插塞與該第二柵極導電層之間。