[發(fā)明專利]一種偏振出光發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110242940.8
• 申請日: 2011-08-23
• 公開（公告）號: CN102263183A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓琴;曹冰;張桂菊;王欽華;王建峰;徐科
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué);蘇州納維科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒

1.一種偏振出光發(fā)光二極管，它的發(fā)光二極管芯片包括基底（1），n型層（2）、量子阱（3）、p型層（4）；其特征在于：在發(fā)光二極管芯片的出光表面上制備二維周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)表面層（6）；所述二維周期點(diǎn)陣的一個方向x，它的周期a為70～180納米，與x垂直的y方向的周期b為a的40%～80%；點(diǎn)陣為突起的柱體或嵌入式孔穴，其形狀為圓形或長方形，柱體的高度或孔穴的深度為50～400納米,圓形點(diǎn)陣的直徑或長方形點(diǎn)陣的邊長為周期b的70%～100%。

2.一種偏振出光發(fā)光二極管，它的發(fā)光二極管芯片包括基底（1），n型層（2）、量子阱（3）、p型層（4）；其特征在于：在p型層（4）的上表面鍍有或刻有一介質(zhì)過渡層（5），其上復(fù)合二維周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)表面層（6）；所述的介質(zhì)過渡層為薄膜平面結(jié)構(gòu)，薄膜為整體型或形狀與其上的復(fù)合表面層相同的二維周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)；介質(zhì)過渡層的折射率n滿足條件為：1.0<n<p型層介質(zhì)的折射率；所述二維周期點(diǎn)陣的一個方向x，它的周期a為70～180納米，與x垂直的y方向的周期b為a的40%～80%；點(diǎn)陣為突起的柱體或嵌入式孔穴，其形狀為圓形或長方形，柱體的高度或孔穴的深度為50～400納米,圓形點(diǎn)陣的直徑或長方形點(diǎn)陣的邊長為周期b的70%～100%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種偏振出光發(fā)光二極管，其特征在于：所述的二維周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)表面層為金屬層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種偏振出光發(fā)光二極管，其特征在于：所述的金屬層的金屬為Al、Ag、Au、Cu或它們的合金。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種偏振出光發(fā)光二極管，其特征在于：所述的介質(zhì)過渡層為MgF₂、SiO₂或ZnS中的一種。