[發明專利]鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法

有效

• 申請號: 201110242329.5
• 申請日: 2011-08-23
• 公開（公告）號: CN102956475A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 孟鴻林;郭曉波;王雷
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/312;G03F7/09;G03F7/00
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：跨多晶硅層的第一光刻膠層涂布前，在所述跨多晶硅層上形成一由無機抗反射材料和第二光刻膠層組成的一平坦結構，所述無機抗反射材料位于下地圖形的臺階結構的正上方、所述第二光刻膠層位于所述下地圖形的臺階結構外的其它區域；所述第一光刻膠層在涂布于所述平坦結構上；所述第一光刻膠層為正性光刻膠、所述第二光刻膠層為負性光刻膠。

2.如權利要求1所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅片上形成具有臺階結構的所述下地圖形，形成所述下地圖形時采用第一塊光刻掩模版，所述第一塊光刻掩模版為多晶硅柵層次光刻掩模版；在形成有所述下地圖形的所述硅片表面形成跨多晶硅層；

步驟二、在所述跨多晶硅層上生長無機抗反射材料；

步驟三、在所述無機抗反射材料上涂布第三光刻膠層，所述第三光刻膠層為正性光刻膠；采用所述第一塊光刻掩模版進行曝光顯影；

步驟四、以顯影后的所述第三光刻膠層為掩模對所述無機抗反射材料進行刻蝕；刻蝕后所述無機抗反射材料位于所述下地圖形的臺階結構的正上方、所述下地圖形的臺階結構外的其它區域的所述無機抗反射材料被去除；去除所述第三光刻膠層；

步驟五、涂布所述第二光刻膠層，并全面曝光顯影；顯影后，所述無機抗反射材料正上方的所述第二光刻膠層全部被去除；由所述無機抗反射材料和顯影后的所述第二光刻膠層組成所述平坦結構；

步驟六、在所述平坦結構上涂布所述第一光刻膠層，采用第二塊光刻掩模版進行曝光顯影；所述第二塊光刻掩模版為跨多晶硅層層次光刻掩模版；

步驟七、以顯影后的所述第一光刻膠層為掩模對所述跨多晶硅層進行刻蝕，形成所述跨多晶硅層的圖形結構。

3.如權利要求1或2所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：所述無機抗反射材料的材料類型要和所述第一光刻膠層匹配、且所述無機抗反射材料的材料類型還滿足在刻蝕所述跨多晶硅層時能作為所述下層圖形的刻蝕阻擋物的要求。

4.如權利要求1或2所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：所述下地圖形由刻蝕后的柵極多晶硅組成，在形成有所述柵極多晶硅的位置處形成所述下地圖形的臺階結構，所述無機抗反射材料位于所述柵極多晶硅的正上方，所述無機抗反射材料滿足在刻蝕所述跨多晶硅層時能作為所述柵極多晶硅的刻蝕阻擋物的要求。

5.如權利要求1或2所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：所述無機抗反射材料滿足能夠消除波長為436納米、365納米、248納米和193納米的光反射的要求。

6.如權利要求1或2所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：所述無機抗反射材料厚度為50?！?0000埃。

7.如權利要求2所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：步驟四中對所述無機抗反射材料的刻蝕為干法刻蝕、或濕法刻蝕；步驟七中對所述跨多晶硅層的刻蝕為干法刻蝕、或濕法刻蝕。

8.如權利要求1或2所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：所述第二光刻膠層的厚度和所述下地圖形的臺階結構的高度相同。

9.如權利要求9所述的鍺硅雙極CMOS跨多晶硅層的制備方法，其特征在于：所述第二光刻膠層的厚度為50?！?0000埃。