[發明專利]一種具有彌散相表面層的偏晶合金復合線材的制備方法有效
| 申請號： | 201110242247.0 | 申請日： | 2011-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN102950273A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發明（設計）人： | 趙九洲;江鴻翔 | 申請（專利權）人： | 中國科學院金屬研究所 |
| 主分類號： | B22D27/02 | 分類號： | B22D27/02;B22C3/00 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人： | 馬馳 |
| 地址： | 110016 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 彌散 表面 合金 復合 線材 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有彌散相表面層的合金復合線材的制備方法，其特征在于：
采用直流電場作用下的連續凝固技術，選取偏晶合金為原料，用于連續凝固或連續定向凝固裝置，凝固速度在5-50mm/s，采用絕緣材料為坩堝或結晶器材料、或坩堝或結晶器內壁的涂層材料，沿坩堝或結晶器軸向向偏晶合金熔體通入直流電流，制備具有彌散相表面層的偏晶合金復合線材。
2.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述絕緣材料為金屬氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷、硼化物陶瓷、或硅化物陶瓷。
3.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述偏晶合金為彌散相電導率比基體相電導率低的偏晶型合金。
4.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：選用彌散相電導率比基體相電導率低的偏晶型合金，如：鋁基Al-Pb系合金、Al-Bi系合金、Al-In系合金或銅基Cu-Co系合金。
5.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述制備的偏晶合金線材的直徑為1-20mm。
6.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述通過熔體的直流電流的電流密度滿足式(5)時，線材表面彌散相層的厚度較?。?/p>
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7.按照權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述通過熔體的直流電流的電流密度滿足式(6)時，線材表面彌散相層的厚度較厚；
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