[發(fā)明專利]放射線成像設備及其控制方法、放射線成像系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110242003.2 | 申請日： | 2006-10-02 |
| 公開（公告）號： | CN102379710A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 龜島登志男;遠藤忠夫;八木朋之;竹中克郎;橫山啟吾 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | A61B6/00 | 分類號： | A61B6/00;H01L27/146;H04N5/32;H04N5/321;H04N5/347;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放射線 成像 設備 及其 控制 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種放射線成像設備，包括：
轉換單元，具有以矩陣布置的多個像素，所述多個像素中的每一個包括轉換元件、第一晶體管、以及第二晶體管，所述轉換元件將放射線轉換成電荷，所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個連接到所述轉換元件的第一電極，所述第二晶體管的源電極和漏電極中的一個連接到所述轉換元件的所述第一電極；
在列方向上布置的多條第一柵極線，其中，所述多條第一柵極線中的每一條連接到在行方向上布置的像素中所包括的第一晶體管的柵電極；
在列方向上布置的多條第二柵極線，其中，所述多條第二柵極線中的每一條連接到在行方向上布置的像素中所包括的第二晶體管的柵電極；
在行方向上布置的多條信號線，其中，所述多條信號線中的每一條連接到在列方向上布置的像素中所包括的第一晶體管的源電極和漏電極中的另一個；
第一電源，連接到所述多個像素中所包括的轉換元件的第二電極，以供給第一電位；
第二電源，連接到所述多個像素中所包括的第二晶體管的源電極和漏電極中的另一個，以供給第二電位；
讀取電路單元，連接到所述多條信號線，并且能夠供給第三電位；
第一驅動電路單元，連接到所述多條第一柵極線，以驅動第一晶體管；
第二驅動電路單元，連接到所述多條第二柵極線，以驅動第二晶體管；以及
控制單元，被配置為獨立地控制所述第一驅動電路單元和第二驅動電路單元；
其中，所述控制單元被進一步配置為控制所述第一驅動電路單元和第二驅動電路單元以對于所述多個像素中的像素執(zhí)行；
第一操作，在所述第一操作中，第一驅動電路單元接通第一晶體管并且第二驅動電路單元關斷第二晶體管；
第二操作，在所述第二操作中，在第一操作之后，第一驅動電路單元關斷第一晶體管；
第三操作，在所述第三操作中，在第二操作之后，第二驅動電路單元接通第二晶體管；
第四操作，在所述第四操作中，在第二操作之后在讀取電路單元供給第三電位的同時，第一驅動電路單元接通第一晶體管并且第二驅動電路單元關斷第二晶體管。
2.根據(jù)權利要求1的放射線成像設備，其中
所述控制單元被配置為控制所述第一驅動電路單元和第二驅動電路單元，以對每一個或更多個像素行執(zhí)行第一到第四操作。
3.根據(jù)權利要求1的放射線成像設備，還包括模式選擇單元，該模式選擇單元被配置為從多個操作模式中選擇模式，所述多個操作模式包括第一模式和第二模式；
其中，所述控制單元被配置為控制所述第一驅動電路單元和第二驅動電路單元，以使得：
當由模式選擇單元選擇第一模式時，第一驅動電路單元基本上同時驅動連接到一條第一柵極線的第一晶體管，以及，第二驅動電路單元基本上同時驅動連接到一條第二柵極線的第二晶體管；以及
當由模式選擇單元選擇第二模式時，第一驅動電路單元基本上同時驅動連接到至少兩條第一柵極線的第一晶體管，以及，第二驅動電路單元基本上同時驅動連接到至少兩條第二柵極線的第二晶體管。
4.根據(jù)權利要求1的放射線成像設備，其中
所述第一晶體管是利用非晶硅、多晶硅和有機半導體中的任一個而在基板上形成的薄膜晶體管，
所述第二晶體管是利用非晶硅、多晶硅和有機半導體中的任一個而在基板上形成的薄膜晶體管，
所述轉換元件被布置在覆蓋所述第一晶體管和第二晶體管的絕緣層之上，以及
第一晶體管的源電極和漏電極中的所述一個和第二晶體管的源電極和漏電極中的所述一個經(jīng)由在所述絕緣層中填充的接觸插頭而電連接到轉換元件的第一電極。
5.根據(jù)權利要求1的放射線成像設備，其中
所述轉換元件具有MIS傳感器，該MIS傳感器包括在所述第一電極和第二電極之間形成的半導體層、在所述第一電極和所述半導體層之間形成的絕緣層、以及在所述第二電極和所述半導體層之間形成的雜質半導體層，以及
第一電位和第二電位向轉換元件供給用于由MIS傳感器執(zhí)行刷新的電壓，并且，第一和第三電位向轉換元件供給用于由MIS傳感器執(zhí)行光電轉換的電壓。
6.根據(jù)權利要求5的放射線成像設備，其中
所述半導體層由非晶硅制成，所述轉換元件進一步包括用于將放射線轉換成可見光的熒光體層。
7.根據(jù)權利要求1的放射線成像設備，其中
所述轉換元件是具有pin光電二極管的光電轉換元件。
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