[發明專利]一種剝離制備ITO圖形的方法有效
| 申請號： | 201110241691.0 | 申請日： | 2011-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN102956759A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發明（設計）人： | 王德曉;劉存志;沈燕;申加兵;王成新 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 呂利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 剝離 制備 ito 圖形 方法 | ||
1.一種剝離制備ITO圖形的方法，步驟如下：
步驟A：在GaN襯底上蒸鍍一層SiO2層；
步驟B：將蒸鍍SiO2層后的晶片進行光刻甩膠、曝光、顯影，將光刻膠形成所需的圖形；
步驟C：將步驟B處理后的晶片浸泡在SiO2腐蝕液中，將未有光刻膠保護的SiO2層徹底腐蝕干凈；
步驟D：在步驟C腐蝕后的晶片上蒸鍍一層ITO層，ITO層的厚度小于步驟A所蒸鍍SiO2層的厚度；
步驟E：將蒸鍍ITO層后的晶片浸泡在SiO2腐蝕液中，腐蝕晶片側壁裸露的SiO2層，使SiO2層內縮2-5μm寬度；
步驟F：將經步驟E處理后的晶片進行膜剝離，然后將晶片浸入步驟E所述的SiO2腐蝕液中腐蝕10-20秒，將殘留的SiO2底部薄膜去除，得到ITO圖形。
2.如權利要求1所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，所述步驟A中SiO2蒸鍍選用等離子體增強化學氣相沉積法或真空電子束蒸鍍法，蒸鍍溫度范圍為150-300攝氏度。
3.如權利要求1所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟A中蒸鍍一層SiO2層的厚度范圍為5000-7000埃。
4.如權利要求1所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟B中所述的光刻膠的厚度范圍為1.5-3μm；所述曝光時間為7-10秒，曝光光強為7-12mW/cm2；所述顯影時間為40-55秒；光刻膠為正性光刻膠。
5.如權利要求1所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟C、E和F中所述SiO2腐蝕液均為含有HF、NH4F的水溶液，對SiO2的腐蝕速率在100-150埃/秒。
6.如權利要求1或5所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，所述SiO2腐蝕液中HF、NH4F和H2O的體積比為4∶7∶20。
7.如權利要求5或6所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟C中SiO2腐蝕液對SiO2層的腐蝕時間為30-50秒。
8.如權利要求1所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟D中采用電子束蒸鍍ITO層；ITO層的厚度范圍為2500-3000埃，所述ITO層的方阻小于50歐姆/方片，峰值波長的透過率大于90％。
9.如權利要求5或6所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟E中SiO2腐蝕液對SiO2層的腐蝕時間為20-30秒。
10.如權利要求1所述的一種剝離制備ITO圖形的方法，其特征在于，步驟F中對晶片用藍膜或白膜進行剝離。
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