[發(fā)明專利]形成多晶硅層的方法、薄膜晶體管和有機發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110241085.9
• 申請日: 2011-08-22
• 公開（公告）號: CN102386069A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸炳建;樸鐘力;鄭胤謨;李卓泳;徐晉旭;李基龍;鄭珉在;孫榕德;蘇炳洙;樸承圭;李東炫;李吉遠(yuǎn);鄭在琓
• 申請（專利權(quán)）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種形成多晶硅層的方法，包括：

形成第一非晶硅層和第二非晶硅層，使得所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層具有彼此不同的膜性質(zhì)；和

用金屬催化劑使所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層結(jié)晶，以分別形成第一多晶硅層和第二多晶硅層。

2.如權(quán)利要求1的形成多晶硅層的方法，其中所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層具有彼此不同的晶粒度。

3.如權(quán)利要求2的形成多晶硅層的方法，其中所述第二多晶硅層比所述第一多晶硅層具有更小的晶粒度。

4.如權(quán)利要求3的形成多晶硅層的方法，其中形成具有彼此不同膜性質(zhì)的所述第一非晶硅層和所述第二非晶硅層包括：

在提供第一氣體的同時沉積所述第一非晶硅層；和

在提供第二氣體的同時沉積所述第二非晶硅層。

5.如權(quán)利要求4所述的形成多晶硅層的方法，其中所述第一氣體包括氬氣，和

所述第二氣體包括氫氣。

6.如權(quán)利要求5所述的形成多晶硅層的方法，其中所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層包括由所述金屬催化劑和硅結(jié)合形成的硅化物，且所述第一多晶硅層比所述第二多晶硅層具有更高的硅化物含量。

7.如權(quán)利要求1所述的形成多晶硅層的方法，其中所述第一非晶硅層中的金屬催化劑用量和所述第二非晶硅層中金屬催化劑的用量相同。

8.一種薄膜晶體管，包括：

用金屬催化劑結(jié)晶的多晶硅層；

與所述多晶硅層重疊的柵極；和

與所述多晶硅層電連接的源極和漏極，

其中，所述多晶硅層包括具有彼此不同的晶粒度的第一多晶硅層和第二多晶硅層。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其中所述第一多晶硅層比所述第二多晶硅層更靠近所述柵極布置。

10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述第二多晶硅層比所述第一多晶硅層具有更小的晶粒度。

11.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管，其中所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層包括由所述金屬催化劑和硅結(jié)合形成的硅化物，且

所述第一多晶硅層比所述第二多晶硅層具有更高的硅化物含量。

12.一種有機發(fā)光裝置，包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、與所述柵極重疊且用金屬催化劑結(jié)晶的多晶硅層和以所述多晶硅層為中心彼此相對的源極和漏極；

與所述薄膜晶體管電連接的第一電極；

與所述第一電極相對的第二電極；和

布置在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層；

其中所述多晶硅層包括具有彼此不同晶粒度的第一多晶硅層和第二多晶硅層。

13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一多晶硅層比所述第二多晶硅層更靠近所述柵極布置。

14.如權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第二多晶硅層比所述第一多晶硅層具有更小的晶粒度。

15.如權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層包括由所述金屬催化劑和硅結(jié)合形成的硅化物，且所述第一多晶硅層比所述第二多晶硅層具有更高的硅化物含量。