[發(fā)明專利]基于非晶多元金屬氧化物的柔性電阻式非易失性存儲器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110241003.0 | 申請日： | 2011-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN102280578A | 公開（公告）日： | 2011-12-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐海陽;王中強;張磊;于浩;李興華;劉益春 | 申請（專利權(quán)）人： | 東北師范大學(xué) |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 長春市東師專利事務(wù)所 22202 | 代理人： | 劉延軍;李榮武 |
| 地址： | 130024 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 多元 金屬 氧化物 柔性 電阻 非易失性存儲器 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種基于非晶多元金屬氧化物的柔性電阻式非易失性隨機存儲器，其特征在于：由柔性襯底(1)、金屬薄膜底電極(2)、非晶多元金屬氧化物薄膜(3)、金屬薄膜頂電極(4)依次粘附組成，其中，柔性襯底(1)由高分子聚乙烯對苯二酸脂PET塑料薄片構(gòu)成、金屬薄膜底電極(2)和金屬薄膜頂電極(4)由具有延展性的薄層金屬材料或金屬合金材料構(gòu)成、可變電阻層(3)為非晶多元金屬氧化物薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性存儲器，其特征在于：所述的可變電阻層(3)為銅鋁氧CuAlO2、銦鎵鋅氧InGaZnO，其厚度為40-60nm。
3.如權(quán)利要求1所述的柔性存儲器，其特征在于：所述金屬薄膜底電極(2)和金屬薄膜頂電極(4)為金屬Cu、Au、Pt、Al或合金Cu/Al、Al/Pt，厚度為20nm。
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