[發明專利]半導體激光裝置及光裝置

無效

• 申請號: 201110240852.4
• 申請日: 2011-08-22
• 公開（公告）號: CN102377110A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 秋吉新一郎;清水源;三橋大樹
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;三洋光學設計株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種半導體激光裝置，其具備：

基臺，其包括臺階部、所述臺階部的下側的第一上表面、所述臺階部的上側的第二上表面；

第一半導體激光元件，其接合在所述第一上表面上，且在上側具有第一發光區域；

第二半導體激光元件，其接合在所述第二上表面上，且在下側具有第二發光區域，

在所述基臺水平配置的狀態下，所述第一發光區域位于比所述第二上表面靠上方的位置。

2.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

在所述基臺水平配置的狀態下，所述第一半導體激光元件的第一發光區域與所述第二半導體激光元件的第二發光區域配置成位于彼此相同或相近的高度位置。

3.根據權利要求2所述的半導體激光裝置，其中，

在所述基臺水平配置的狀態下，所述第一半導體激光元件的第一發光區域與所述第二半導體激光元件的第二發光區域配置成至少一部分的高度位置相互重疊。

4.根據權利要求2所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一發光區域及所述第二發光區域分別沿著所述第一半導體激光元件的激光的出射方向及所述第二半導體激光元件的激光的出射方向延伸，

所述第一發光區域和所述第二發光區域配置成沿著所述激光的出射方向位于彼此相同或相近的高度位置。

5.根據權利要求2所述的半導體激光裝置，其中，

從所述第一上表面到所述第二上表面的所述臺階部的高度被調節成使在所述基臺水平配置的狀態下所述第一半導體激光元件的第一發光區域與所述第二半導體激光元件的第二發光區域位于彼此相同或相近的高度位置這樣的高度。

6.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一半導體激光元件包括接近所述第一發光區域這一側的第一表面、所述第一表面的相反側即遠離所述第一發光區域這一側的第二表面，

所述第一半導體激光元件的所述第二表面接合在所述第一上表面上。

7.根據權利要求6所述的半導體激光裝置，其中，

所述第二半導體激光元件包括接近所述第二發光區域這一側的第三表面、所述第三表面的相反側即遠離所述第二發光區域這一側的第四表面，

所述第二半導體激光元件的所述第三表面接合在所述第二上表面上。

8.根據權利要求7所述的半導體激光裝置，其中，

所述第二半導體激光元件的發熱量比所述第一半導體激光元件的發熱量大。

9.根據權利要求7所述的半導體激光裝置，其中，

所述第二半導體激光元件的第四表面位于比所述第一半導體激光元件的第一表面靠上方的位置。

10.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述臺階部形成為沿著所述第一半導體激光元件的激光的出射方向及所述第二半導體激光元件的激光的出射方向延伸。

11.根據權利要求10所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一半導體激光元件包括用于形成所述第一發光區域的第一脊部，并且所述第二半導體激光元件包括用于形成所述第二發光區域的第二脊部，

所述第一脊部及所述第二脊部分別沿著所述第一半導體激光元件的激光的出射方向及所述第二半導體激光元件的激光的出射方向延伸，

從所述臺階部到所述第一脊部及所述第二脊部中的至少一方的水平方向上的距離沿著所述激光的出射方向大致一定。

12.根據權利要求2所述的半導體激光裝置，其中，

所述第二半導體激光元件包括多個所述第二發光區域，

在所述基臺水平配置的狀態下，所述第一半導體激光元件的第一發光區域和所述第二半導體激光元件的多個所述第二發光區域中的各個所述第二發光區域配置成至少一部分的高度位置相互重疊。

13.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其中，

所述第一半導體激光元件的第一發光區域及所述第二半導體激光元件的第二發光區域中的至少一方配置得比元件主體的中央靠所述臺階部側。