[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光裝置及光裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110240852.4
• 申請日: 2011-08-22
• 公開（公告）號: CN102377110A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秋吉新一郎;清水源;三橋大樹
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會社;三洋光學(xué)設(shè)計(jì)株式會社
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40;H01S5/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 雒運(yùn)樸

1.一種半導(dǎo)體激光裝置，其具備：

基臺，其包括臺階部、所述臺階部的下側(cè)的第一上表面、所述臺階部的上側(cè)的第二上表面；

第一半導(dǎo)體激光元件，其接合在所述第一上表面上，且在上側(cè)具有第一發(fā)光區(qū)域；

第二半導(dǎo)體激光元件，其接合在所述第二上表面上，且在下側(cè)具有第二發(fā)光區(qū)域，

在所述基臺水平配置的狀態(tài)下，所述第一發(fā)光區(qū)域位于比所述第二上表面靠上方的位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

在所述基臺水平配置的狀態(tài)下，所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光區(qū)域配置成位于彼此相同或相近的高度位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

在所述基臺水平配置的狀態(tài)下，所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光區(qū)域配置成至少一部分的高度位置相互重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第一發(fā)光區(qū)域及所述第二發(fā)光區(qū)域分別沿著所述第一半導(dǎo)體激光元件的激光的出射方向及所述第二半導(dǎo)體激光元件的激光的出射方向延伸，

所述第一發(fā)光區(qū)域和所述第二發(fā)光區(qū)域配置成沿著所述激光的出射方向位于彼此相同或相近的高度位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

從所述第一上表面到所述第二上表面的所述臺階部的高度被調(diào)節(jié)成使在所述基臺水平配置的狀態(tài)下所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光區(qū)域與所述第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光區(qū)域位于彼此相同或相近的高度位置這樣的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第一半導(dǎo)體激光元件包括接近所述第一發(fā)光區(qū)域這一側(cè)的第一表面、所述第一表面的相反側(cè)即遠(yuǎn)離所述第一發(fā)光區(qū)域這一側(cè)的第二表面，

所述第一半導(dǎo)體激光元件的所述第二表面接合在所述第一上表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第二半導(dǎo)體激光元件包括接近所述第二發(fā)光區(qū)域這一側(cè)的第三表面、所述第三表面的相反側(cè)即遠(yuǎn)離所述第二發(fā)光區(qū)域這一側(cè)的第四表面，

所述第二半導(dǎo)體激光元件的所述第三表面接合在所述第二上表面上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第二半導(dǎo)體激光元件的發(fā)熱量比所述第一半導(dǎo)體激光元件的發(fā)熱量大。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第二半導(dǎo)體激光元件的第四表面位于比所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一表面靠上方的位置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述臺階部形成為沿著所述第一半導(dǎo)體激光元件的激光的出射方向及所述第二半導(dǎo)體激光元件的激光的出射方向延伸。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第一半導(dǎo)體激光元件包括用于形成所述第一發(fā)光區(qū)域的第一脊部，并且所述第二半導(dǎo)體激光元件包括用于形成所述第二發(fā)光區(qū)域的第二脊部，

所述第一脊部及所述第二脊部分別沿著所述第一半導(dǎo)體激光元件的激光的出射方向及所述第二半導(dǎo)體激光元件的激光的出射方向延伸，

從所述臺階部到所述第一脊部及所述第二脊部中的至少一方的水平方向上的距離沿著所述激光的出射方向大致一定。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第二半導(dǎo)體激光元件包括多個(gè)所述第二發(fā)光區(qū)域，

在所述基臺水平配置的狀態(tài)下，所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體激光元件的多個(gè)所述第二發(fā)光區(qū)域中的各個(gè)所述第二發(fā)光區(qū)域配置成至少一部分的高度位置相互重疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光裝置，其中，

所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一發(fā)光區(qū)域及所述第二半導(dǎo)體激光元件的第二發(fā)光區(qū)域中的至少一方配置得比元件主體的中央靠所述臺階部側(cè)。