[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110240551.1
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102956556A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 廖端泉;陳益坤;朱曉忠
• 申請（專利權）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供基底，其中該基底上已形成有介電層，該介電層具有第一開口與第二開口，該第一開口與該第二開口暴露出部分的該基底，而該第一開口兩側的基底中分別形成有第一摻雜區(qū)，該第二開口兩側的基底中分別形成有第二摻雜區(qū)，且該第一開口與該第二開口的底部覆蓋有柵極介電層，該柵極介電層包括高介電常數材料層以及阻障層，其中該高介電常數材料層形成于該阻障層上；

于該第二開口內的該柵極介電層上形成犧牲層；

于該第一開口內的該柵極介電層以及該第二開口內的該犧牲層上形成第一功函數金屬層；以及

移除該第二開口內的該第一功函數金屬層與該犧牲層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，還包括于該第二開口內的該柵極介電層上形成第二功函數金屬層。

3.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中在形成該介電層、該柵極介電層、該第一摻雜區(qū)以及該第二摻雜區(qū)之前，還包括在該基底中形成第一型摻雜阱與第二型摻雜阱，該第一開口位于該第一型摻雜阱上方，該第二開口位于該第二型摻雜阱上方，且該多個第一摻雜區(qū)形成于該第一型摻雜阱內，該多個第二摻雜區(qū)形成于該第二型摻雜阱內。

4.如權利要求3所述的半導體結構的制造方法，其中該第一型摻雜阱為N型摻雜阱，該第二型摻雜阱為P型摻雜阱。

5.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該介電層包括多個間隙壁，位于該第一開口與該第二開口的兩側。

6.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該柵極介電層還覆蓋該第一開口與該第二開口的側壁，并延伸至該介電層上。

7.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該柵極介電層還包括界面層，形成于該基底與該高介電常數材料層之間。

8.如權利要求1所述的半導體結構的制造方法，其中該犧牲層的材料包括多晶硅材料。

9.一種半導體結構，包括：

基底，該基底中形成有多個第一摻雜區(qū)；

介電層，具有第一開口，其中該多個第一摻雜區(qū)分別位于該第一開口兩側的該基底中；

柵極介電層，包括：

高介電常數材料層，配置于該第一開口的底部；

阻障層，配置于該高介電常數材料層上；以及

第一功函數金屬層，配置于該柵極介電層上。

10.如權利要求9所述的半導體結構，其中該基底中還形成有多個第二摻雜區(qū)，且該介電層還具有第二開口，該多個第二摻雜區(qū)分別位于該第二開口兩側的該基底中，且該柵極介電層還配置于該第二開口內，而該半導體結構還包括第二功函數金屬層，配置于該第二開口內的該柵極介電層上。

11.如權利要求10所述的半導體結構，其中該第二功函數金屬層還包括配置于該第一開口內的該第一功函數金屬層上。

12.如權利要求10所述的半導體結構，其中該基底中還包括形成有第一型摻雜阱與第二型摻雜阱，該多個第一摻雜區(qū)位于該第一型摻雜阱中，而該多個第二摻雜區(qū)位于該第二型摻雜阱中。

13.如權利要求12所述的半導體結構，其中該第一型摻雜阱為N型摻雜阱，該第二型摻雜阱為P型摻雜阱。

14.如權利要求9所述的半導體結構，其中該介電層包括多個間隙壁，分別位于該第一開口的兩側。

15.如權利要求9所述的半導體結構，其中該柵極介電層還包括覆蓋該第一開口的側壁并延伸至該介電層上。

16.如權利要求9所述的半導體結構，其中該柵極介電層還包括界面層，配置于該高介電常數材料層與該基底之間。

17.如權利要求16所述的半導體結構，其中該界面層的材料包括氧化物。

18.如權利要求9所述的半導體結構，其中該阻障層的材料包括金屬氮化物。

19.如權利要求18所述的半導體結構，其中該阻障層的材料包括氮化鈦或氮化鉭。