[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和電子器件

有效

• 申請號: 201110240510.2
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102709234A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 劉翔;薛建設
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;姜精斌

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

第一次構圖工藝，在透明基板上形成包括由半導體層組成的有源層和由第一金屬層組成的相分離的源電極、漏電極的圖形；

第二次構圖工藝，在經過所述第一次構圖工藝的透明基板上形成絕緣層的圖形，所述絕緣層的圖形包括一露出所述源電極的接觸過孔；

第三次構圖工藝，在經過所述第二次構圖工藝的透明基板上形成包括由透明導電層組成的像素電極和由第二金屬層組成的柵電極的圖形，所述像素電極通過所述接觸過孔與所述源電極連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一次構圖工藝包括：

在透明基板上依次沉積修飾層、半導體層、第一金屬層；

在第一金屬層上涂布光刻膠；

利用雙色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影工藝之后進行刻蝕，形成由所述半導體層組成的有源層的圖形，對所述光刻膠進行灰化工藝之后再進行刻蝕，在所述有源層的圖形上形成由所述第一金屬層組成的相分離的源電極、漏電極的圖形。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在透明基板上依次沉積修飾層、半導體層、第一金屬層包括：

使用等離子體增強化學氣相沉積法在透明基板上沉積厚度為500～的修飾層；

在經過上述步驟的透明基板上通過濺射或熱蒸發的方法依次沉積厚度為300～的半導體層和厚度為2000～的第一金屬層。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二次構圖工藝包括：

使用等離子體增強化學氣相沉積法在經過所述第一次構圖工藝的透明基板上沉積厚度為1000～的絕緣層；

在所述絕緣層上涂布光刻膠；

利用掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影后，進行刻蝕在所述源電極的上方形成所述接觸過孔。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第三次構圖工藝包括：

在經過所述第二次構圖工藝的透明基板上通過濺射或熱蒸發的方法沉積厚度為300～的透明導電層和第二金屬層；

在第二金屬層上涂布光刻膠；

利用雙色調掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影工藝之后進行刻蝕，形成柵電極的圖形，對所述光刻膠進行灰化工藝之后再進行刻蝕，形成像素電極的圖形。

6.根據權利要求1～5任一項所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述半導體層為金屬氧化物。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，

所述金屬氧化物包括IGZO。

8.根據權利要求2或3所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述修飾層為硅氧化物；

所述第一金屬層為采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的至少一種。

9.根據權利要求1或4所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣層為氧化物、氮化物或氧氮化合物。

10.根據權利要求1或5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述透明導電層為采用IZO或ITO；

所述第二金屬層為采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al和Cu中的至少一種。

11.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

一透明基板；

分布在所述透明基板上由半導體層組成的有源層；

位于所述有源層上由第一金屬層組成的源電極、漏電極；

位于所述透明基板上的絕緣層，所述絕緣層包括一露出所述源電極的接觸過孔；

位于所述透明基板上由透明導電層組成、通過所述接觸過孔與所述源電極連接的像素電極；

位于所述絕緣層上的、其下方保留有透明導電層的、由第二金屬層組成的柵電極。

12.根據權利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括：

位于所述透明基板和所述半導體層之間的修飾層。

13.根據權利要求11或12所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述半導體層為金屬氧化物。

14.一種電子器件，包括如權利要求11～13任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。