[發明專利]一種用于集成電路制造的場區隔離方法

有效

• 申請號: 201110240190.0
• 申請日: 2011-08-19
• 公開（公告）號: CN102270598A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 黃如;云全新;安霞;張興
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種用于集成電路制造的場區隔離方法，其步驟包括：

1)在半導體襯底上通過光刻定義出有源區和場區；

2)利用注入掩膜在場區進行硅離子注入；

3)去除注入掩膜；

4)熱氧化獲得場區氧化硅隔離層；

5)通過選擇腐蝕去除有源區表面氧化物，獲得場區隔離結構。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底是鍺、硅、硅鍺合金、砷化鎵、銦鎵砷中的一種。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入掩膜是光刻膠、氧化硅、氮化硅、金屬薄膜或上述薄膜的任何可能的組合掩膜，掩膜總厚度范圍為10nm～10μm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述場區硅離子注入的能量范圍為20KeV～200KeV，注入劑量范圍為10¹²/cm²～10¹⁹/cm²。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱氧化獲得場區氧化硅的氧化氣氛為氧氣，氧化溫度范圍為300℃～1200℃。